根據DIGITIMES Research調查顯示，今年第三季全球智能手機應用處理器（AP）出貨預估將達4.5億套，相較第二季季成長達18.7％。隨著蘋果、華為等領先品牌旗艦新機發布在即，其中搭載7納米制程的高階AP出貨比重將迅速拉升，一舉突破10.5％。

受惠蘋果最新iPhone發表日近，帶動其自主芯片備貨動能強勁，成為第三季全球7納米智能手機AP出貨比重快速拉升主因。非蘋陣營由華為海思領軍，旗下首款7納米AP麒麟980將搭載于華為旗艦機種Mate 20系列，同步推升7納米AP出貨量。

高通、三星7納米及同級制程AP進度預計于第四季啟動備貨周期，明年第一季搭載之終端手機才會亮相。DIGITIMES Research預估，因主要業者產品到位，全球7納米智能手機AP出貨比重將于第四季進一步抬升至18.3％，超越10納米制程。

DIGITIMES Research的IC設計產業分析師胡明杰表示，日前臺積電雖遭受機臺中毒影響，損失部份應有產能，其中包含7納米制程智能手機AP，然臺積電緊急應變及資源調配得當，預估第4季7納米制程比重超越10納米趨勢不變，蘋果及海思仍為7納米AP主要貢獻者。

此外，具人工智能加速器的智能手機AP出貨比重攀升。DIGITIMES Research預估第三季搭載AI加速器智能手機AP出貨比重將上升至29.8％，并于第四季正式突破3成。

目前執行AI加速的解決方案主要分為硬件加速與軟件加速兩大陣營。硬件加速以蘋果、海思為代表，在AP中針對類神經網路演算法進行硬件客制，及增添硬件NPU（Neural Processing Unit）單元；軟件加速則以高通、聯發科為首，以異構運算的方式在現有或客制化影像處理單元中處理AI任務。

三大代工廠的7nm進展

制程工藝發展到現在，只有臺積電、格芯和三星三家進入到7nm。而各自也有不同的進展和技術。

臺積電方面，在今年六月舉辦技術研討會，CEO魏哲家表示7nm制程的芯片已經開始量產。他表示，7nm的量產將使臺積電12寸晶圓的總產能達到120萬片，比2017年的105萬片提升9%。雖然沒有詳細說明具體的7nm訂單和客戶，但他表示到2018年底將有超過50個產品完成設計定案（Tape out）。其中，AI芯片、GPU和礦機芯片占了大部分的產能，其次是5G和應用處理器（AP）。

據報道，與16nm工藝相比，臺積電7nm工藝的性能將提升35%，或者功耗降低65%，芯片密度達到3倍水平。

臺積電的第一代7nm工藝沒有使用EUV光刻工藝，N7+節點才會用上EUV光刻機，不過這個是制造過程的改變，N7+工藝的性能沒什么變化，晶體管密度提升大概20%，功耗降低10%。

此外，N7+工藝雖然目前的良率不錯，但是還有一些關鍵單元要到今年底或者明年初才能搞定，完整用于N7+工藝的EDA工具大概要等到8月份。

來到格芯，該公司CTO Gary Patton最近表示，GF公司也會在2018年底推出7nm工藝，2019年大規模量產。GF的7nm處理器是他們自己開發的，高性能處理器頻率可上5GHz，這對AMD來說是件好事。

根據格芯公布的數據，他們的7nm工藝相比14nm工藝可以在同樣的功耗下提升40%以上的性能，或者同樣的性能下減少60%的功耗，同時在核心成本上低了30%。

至于三星方面，他們在技術論壇上面表示，其7nm EUV工藝的風險試產將在年底啟動。考慮到風險試產到最終量產大約要維持1年的時間，所以年底和明年初的Exynos和驍龍芯片將暫時無緣7nm EUV。

三星的7nm EUV（極紫外光刻），就是使用波長13.5nm的紫外線（波長范圍是10~400nm）取代現在的193nm ArF（氟化氬）浸沒式光刻，從而使得晶體管更加精密。據透露，三星7nm EUV的柵極間距是54nm，鰭片間距是27nm，前者居然只是Intel 10nm的水平。三星稱，新工藝晶體管的性能將比去年首秀時最多提升20%，功耗最多下降50%。