存儲芯片因為其應用的廣泛性和重要性，是電子產品必不可少的一種重要半導體元件，近些年隨著大數據、云計算、物聯網等發展，其在整個產業鏈中扮演的角色將更加重要。過去，我國的存儲芯片基本依賴于進口，三星、東芝、SK海力士、美光等美日韓企業占據主要市場份額。自2014年我國頒布了《國家集成電路產業發展推進綱要》，經過政府和企業近幾年潛心的努力和投入，已形成包括發展NAND Flash的長江存儲、專注移動式內存的合肥長鑫以及致力于利基型內存的福建晉華三大陣營。這三大存儲芯片基地分別在當地加緊建設存儲芯片工廠，前日（7月17日），合肥長鑫8Gb LPDDR4正式投片，成為我國國產DRAM產業的一個里程碑。既然2018年將成為國產存儲芯片主流化發展的元年，那么這三大領頭羊研發和投產進展如何？讓我們關注一下。
長江存儲
2016年12月，以長江存儲為主體的國家存儲器基地正式開工建設，其中包括3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發大樓和其他若干配套建筑，核心廠區占地面積約1717畝，預計項目建成后總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。經過一年多的布局，目前，長江存儲已經在武漢、北京、上海、臺北、東京、硅谷均設有研發基地。
長江存儲以武漢新芯現有的12英寸先進集成電路技術研發與生產制造能力為基礎，采取自主研發與國際合作雙輪驅動的方式，已于2017年研制成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片，填補了國內空白。
2018年4月，由紫光集團聯合國家集成電路產業投資基金、湖北集成電路業投資基金、湖北科投共同投資建設的國家存儲器基地項目芯片生產機臺正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產準備階段。同時紫光集團全球執行副總裁暨長江存儲執行董事長高啟全更是披露了一個振奮人心的好消息：長江存儲的3D NAND閃存已經獲得第一筆訂單，總計10776顆芯片，將用于8GB USD存儲卡產品。
在CITE2018展會上開幕式上，紫光集團董事長趙偉國宣布，紫長江存儲32層64G 3D NAND Flash存儲器將會在2018年達成小規模量產的目標，2019年64層128G 3DNAND Flash儲器則將會進入規模研發的階段。
2018年5月19日，長江存儲購買自荷蘭ASML的光刻機運抵武漢天河機場。這是長江存儲的首臺光刻機，不過這臺機器并不是最新的EUV光刻機，而是193nm沉浸式光刻機，可用于產20-14nm工藝的3D NAND閃存晶圓，新的光刻機的進廠，也標志著長江存儲32層3D NAND Flash即將進入量產。
合肥長鑫
合肥長鑫集成電路有限責任公司是由合肥市產業投資控股（集團）有限公司和合肥產投新興戰略產業發展合伙企業（有限合伙）投資建立的。公司成立于2016年，由中芯國際前CEO王寧國主導。
2017年5月25日，長鑫宣布，預計由合肥長鑫投資72億美元，興建12寸晶圓廠以發展DRAM產品，預計最大月產將高達12.5萬片規模。
2017年10月，合肥長鑫與兆易創新合作開展工藝制程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器（含DRAM等）研發項目。項目內容為在合肥市經濟技術開發區空港經濟示范區內開展工藝制程19nm 存儲器的 12 英寸晶圓存儲器（含 DRAM 等）的研發，目標是在 2018 年12 月 31 日前研發成功，即實現產品良率（測試電性良好的芯片占整個晶圓的比例）不低于 10%。目前雙方合作非常順利。
2018年4月份，王寧國出席合肥舉辦的“國家集成電路重大專項走進安徽活動”表示，合肥長鑫的一廠廠房已經于2018年1月建設完成，設備也開始安裝。根據計劃，長鑫將于2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產能將達到2萬片一個月。從2020年開始，公司則開始規劃二廠，2021年則完成17nn的研發。
2018年7月17日，合肥長鑫8Gb LPDDR4正式投片，完全在上述投產時間計劃之內。在短短兩年的發展中，合肥長鑫在元件、設計、光罩、制造和測試領域都做了不少的積累。截至2017年底，已申請專利354件，2018年計劃申請專利1155件：其中計劃申請元件專利126件、設計專利144件、成像專利224件。計劃至2018年底，申請專利數量總計達到1509件。
福建晉華
2016年2月，福建省電子信息集團、晉江能源投資集團有限公司等共同出資設立福建晉華集成電路有限公司。2016年5月，福建晉華與臺灣聯華電子簽署技術合作協議，投資56.5億美元，在福建省晉江市建設12寸內存晶圓廠生產線，開發先進存儲器技術和制程工藝，并開展相關產品的制造和銷售。
福建晉華集成電路公司的生產線設備安裝將于2018年7月底完成，為三季度的大規模量產鋪平了道路。到2018年年底投產后，將形成月處理6萬片12英寸晶圓的產能，這將填補中國在內存芯片領域的空白。