最近三星公布了關于生產7nm、5nm、4nm和3nm的路線圖，三星的新路線圖重點為其客戶提供更多針對各行業的系統設備的節能系統。三星執行副總裁兼代工銷售與營銷主管Charlie Bae表示：“趨向于更智能，互聯的世界，業界對芯片供應商的要求越來越高。

　　三星表示目前基于EUV光刻技術的下一代工藝技術是7nm Low Power Plus，三星的7LPP解決方案將在今年下半年投入生產，并將在2019年上半年擴大規模。

　　同時關于5nm、4nm、包括3nm的技術目前也正在開展，按照三星的預想，三星路線圖的最后一步是3nm Gate-All-Around Early / Plus。使用更新型的晶體管可以解決FinFET的物理縮放問題。

　　相較于三星的激進，臺積電一直采用穩扎穩打的方式似乎更為穩妥，當年在20nm工藝上的不良表現導致了高通驍龍810出現了嚴重的發熱問題，后來在16nm上面選擇了更加沉穩的方式，而激進的三星則是全力研發14nmFinFET工藝，最終使得2015年初成功投產并領先臺積電半年左右。

　　在10nm工藝上，臺積電于2017年初投產，而三星則趕在2016年10月投產，再次取得領先優勢。同樣的在當前的7nm工藝上三星再次采取了激進策略，引入先進的EUV技術預計在今年下半年投產，而臺積電繼續采取穩健策略先研發7nm工藝在今年初投產然后到明年引入EUV技術，這再次讓三星取得領先的制程工藝優勢。

　　不可否認的是，臺積電在每個階段的深耕更能使自己的產品有更好的良品率，特別是在功耗的控制上，臺積電相對于三星做的更加的好。但很明顯的是隨著三星越來越多的動作，臺積電的訂單正在變少，市場上對于芯片的需求量越來越大，對于芯片的質量要求也越來越高，無論是三星還是臺積電，只有不斷的保持自己在這個領域的制造優勢，才能不被競爭對手淘汰。