東芝與西數(shù)在2017年經(jīng)歷長(zhǎng)時(shí)間的法律訴訟及合資爭(zhēng)議后，已于2017年12月13日達(dá)成和解，雙方延展合資關(guān)系至2029年，并確保西數(shù)在Fab6中能夠參與投資，延續(xù)在96層以后3D-NAND Flash的競(jìng)爭(zhēng)門票。東芝隨即在12月21日宣布Fab 7興建計(jì)劃，集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）指出，隨著東芝、三星、英特爾、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等都將擴(kuò)增NAND Flash產(chǎn)能，對(duì)NAND Flash產(chǎn)業(yè)的影響將在2019年轉(zhuǎn)趨明顯，并使得整體產(chǎn)業(yè)可望呈現(xiàn)供過于求狀況。

DRAMeXchange指出，東芝Fab 7有別于以往廠房集中于四日市，廠址改設(shè)在巖手縣北上市，該廠投入量產(chǎn)的時(shí)程將落在2019年下半年后，主要投產(chǎn)96層以上的3D-NAND Flash，對(duì)整體產(chǎn)出真正產(chǎn)生影響的時(shí)間點(diǎn)將落在2020年. 

綜觀2018到2020年NAND Flash擴(kuò)產(chǎn)趨勢(shì)，DRAMeXchange指出，各個(gè)陣營(yíng)皆可說是磨刀霍霍，除東芝剛宣布新建的Fab 7以及已興建中的Fab 6以外，備受各界關(guān)注的長(zhǎng)江存儲(chǔ)位于武漢未來城的生產(chǎn)基地也預(yù)計(jì)于2018年下半年開始營(yíng)運(yùn)，初期投產(chǎn)32層的3D-NAND Flash產(chǎn)品，并致力64層產(chǎn)品的開發(fā)，以拉近與其他供貨商之間的差距。

除了長(zhǎng)江存儲(chǔ)以外，其他大廠的投資也不惶多讓，包括英特爾擴(kuò)建大連廠二期，為應(yīng)對(duì)旺盛的Server SSD需求，目標(biāo)在2018年底增加一倍的3D-NAND Flash產(chǎn)能。此外，三星也將擴(kuò)建西安廠二期，持續(xù)放大在中國(guó)生產(chǎn)3D-NAND Flash的能量。SK海力士則將在韓國(guó)清州廠區(qū)另外興建一座新廠M15，同樣以投產(chǎn)96層以上3D-NAND Flash為目標(biāo)，預(yù)計(jì)2019年可正式進(jìn)入營(yíng)運(yùn)。 

DRAMeXchange分析指出，基于各家供貨商皆在3D-NAND Flash具體新增產(chǎn)能，在2019年以后3D-NAND Flash市場(chǎng)預(yù)期會(huì)再度進(jìn)入供過于求格局，而2D-NAND Flash則因供貨商陸續(xù)轉(zhuǎn)產(chǎn)，僅維持較低比重繼續(xù)生產(chǎn)并著重于工規(guī)需求，因此2D-NAND Flash市場(chǎng)走勢(shì)將與3D-NAND Flash脫鉤，逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)槔袌?chǎng)。