隨著臺(tái)積電宣布全世界第一個(gè) 3 奈米制程的建廠計(jì)劃落腳臺(tái)灣南科之后，10 奈米以下個(gè)位數(shù)制程技術(shù)的競爭就正式進(jìn)入白熱化的階段。 臺(tái)積電的對(duì)手三星 29 日也宣布，將開始導(dǎo)入 11 奈米的 FinFET，預(yù)計(jì)在 2018 年正式投產(chǎn)之外，也宣布將在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 極紫外線光刻設(shè)備。

根據(jù)三星表示，11 奈米 FinFET 制程技術(shù)「11LPP (Low Power Plus)」是現(xiàn)今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，可以大大縮小芯片面積。 另一方面，也沿用 14 奈米 LPP 制程的部分元素。 未來，三星的 11LPP 制程技術(shù)將填補(bǔ) 14 奈米與、10 奈米制程之間的空白，號(hào)稱可在同等晶體管數(shù)量和功耗下，比 14LPP 制程技術(shù)提升 15% 的性能，或者降低 10% 的功耗。 另外，還可以使得晶體管的密度也有所提升。

至于，三星于 2016 年 10 月開始投產(chǎn) 10 奈米制程技術(shù)「10LPE (10nm Low Power Early)」。 而目前已經(jīng)完成研發(fā)，達(dá)到即將投產(chǎn)的下一代「10LPP (10nm Low Power Plus)」?fàn)顟B(tài)，主要將可協(xié)助生產(chǎn)更高規(guī)格的智能型手機(jī)芯片。 而三星的 14 奈米制程技術(shù)部分，則將以主流、低功耗和緊致型的芯片生產(chǎn)為主。 目前，三星還在積極開發(fā)增加新一代的 14LPU、10LPU 制程版本。

另外，三星還表示，未來還一路準(zhǔn)備了 9 奈米、8 奈米、7 奈米、6 奈米、5 奈米制程技術(shù)，其中 7 奈米的 7LPP 版本還將會(huì)全面加入 EUV 極紫外光刻設(shè)備制程，而且確認(rèn)將在 2018 年下半年試產(chǎn)。 不過，也另有報(bào)導(dǎo)表示，在那之前的 2018 年上半年，三星會(huì)首先在 8LPP 制程的特定制程上開始使用 EUV。

三星指出，2014 年以來，已經(jīng)使用 EUV 技術(shù)處理了接近 20 萬片晶圓，并取得了豐碩成果。 比如 256Mb SRAM 的產(chǎn)品良率已經(jīng)達(dá)到了 80%。 而也因?yàn)槿怯芯A代工，DRAM，NAND Flash 的制造與生產(chǎn)能力，又在內(nèi)存產(chǎn)品的市占率上獨(dú)占鰲頭。 使得，三星具有雄厚的本錢可以使用 EUV 的設(shè)備。 但是，這也使得其他競爭廠商產(chǎn)生龐大的成本壓力。 因?yàn)椋?EUV 的價(jià)值不斐，要能夠有效率的應(yīng)用以增加收入，這對(duì)其他內(nèi)存廠商來說是一件具備壓力的事情。