三星電子宣布，在其晶圓代工產(chǎn)品組合中將增加11nm的FinFET工藝。

公司表示，11nm LPP或者11LPP是從上一代14nm工藝進(jìn)一步發(fā)展而來，它能提供15%的性能提升，減少10%面積，但功耗卻保持不變。 

三星補(bǔ)充道：使用該制程的產(chǎn)品將在2018年上半年才開始。 

這位韓國科技巨頭在去年年底就為自己的芯片和客戶提供了先進(jìn)的10nm工藝，目前也在為最新的Galaxy Note 8的處理器使用第二代10nm工藝。 

三星表示，10nm工藝是針對(duì)旗艦手機(jī)的處理器，而11nm則將被用于中高端手機(jī)。將為客戶提供“更廣泛的選擇”。 

三星正在與臺(tái)積電進(jìn)行10nm工藝競爭，并將成為第一個(gè)部署7nm制程的公司。 

得益于極紫外（EUV）光刻技術(shù)的成熟，三星表示其7nm的定價(jià)和收益的優(yōu)勢高于臺(tái)積電。 

三星還在計(jì)劃能在2018年上半年提供8nm制程，該工藝將比臺(tái)積電7nm工藝在價(jià)格競爭上更具優(yōu)勢，而且在技術(shù)水準(zhǔn)上卻很接近。 

自2014年以來，三星已經(jīng)使用EUV光刻制造了20萬個(gè)晶圓，并包攬了805的256M SRAM產(chǎn)量。

今年5月，三星將芯片制造部門提升為一項(xiàng)業(yè)務(wù)。它以前是在邏輯芯片業(yè)務(wù)下生產(chǎn)處理器的。