三星電子垂涎晶圓代工市場(chǎng),力拼踢掉聯(lián)電,晉身晶圓代工二哥。眼看當(dāng)前半導(dǎo)體市況熱翻天,該公司決定提前興建韓國(guó)華城的 18 號(hào)線,提高競(jìng)爭(zhēng)力搶單。
韓媒 BusinessKorea 19 日?qǐng)?bào)導(dǎo),三星華城廠的 18 號(hào)線原定明年動(dòng)工,如今三星決定提前至今年 11 月破土。18 號(hào)線的建筑面積為 40,536 平方米,總樓面面積為 298,114 平方米。投資金額為 6 萬億韓元(約 54 億美元),預(yù)定 2019 年下半完工,生產(chǎn)存儲(chǔ)器以外的半導(dǎo)體產(chǎn)品。
華城廠為綜合晶圓廠,生產(chǎn) DRAM、3D NAND Flash、系統(tǒng)半導(dǎo)體等。18 號(hào)線將裝設(shè)數(shù)十臺(tái)先進(jìn)晶圓代工所需的極紫外光(EUV)微影機(jī)臺(tái)。三星提前施工,顯示該公司有意強(qiáng)化晶圓代工競(jìng)爭(zhēng)力。三星今年把晶圓代工部門獨(dú)立出來,大舉投資,并放話搶市。
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