在今年年初，三星、臺積電、英特爾在10nm制程上良率的不佳的問題被接連曝光了，其中影響最大的莫過于三星了，因為高通計劃在今年第二季度正式戳驍龍835處理器，良率的問題將會導致持續的供貨不足；英特爾是最放松的，他們在2017年年初發布了采用14nm的kabyLake，10nm工藝依舊沒有被引進到生產之中；臺積電的10nm 工藝同樣出現了良率低的問題，不過在臺積電的最大客戶蘋果準備在9月發布新品，所以他們依然有時間來解決良率太低的問題。

如果10nm未能達到臺積電欲其中的良率，那么產能不足的問題將會持續，對于其他客戶來說，無法拿到最先進的10nm工藝，那么采用改良版的16nm也是一個非常不錯的選擇。臺積電的16nm工藝最早在2015年開始量產，雖然外界很多消息表示臺積電的16nm和三星的14nm只是20nm工藝的改良版本，不過在性能和功耗上要強于20nm很多。在傳出臺積電10nm工藝良率不加的時候，關于臺積電將推出12nm救場的消息就開始了。

臺積電這一次推出的10nm工藝，其實就是現有16nm工藝的微縮改良版，具有更低的漏電率和成本，并且在線寬方面超越了三星的14nm工藝。臺積電將16nm改良版更名為12nm的目的是反擊三星、格羅方德、中芯國際等競爭對手的工藝優勢，牢牢掌控10－28nm的晶圓代工市場。

其實格羅方德在去年就退出了12nm FD－SOI工藝，與16nm FinFET工藝相比，12nm制程能夠將功耗降低50％，性能提升15％，掩膜成本較10nm降低40％。不過由于三星方面已經明確表示，他們的10nm工藝主要是針對低功耗平臺，所以格羅方德直接跳過了10nm，開始了7nm工藝的研發。

雖然臺積電將16nm工藝使用了四代，不過工藝更成熟的他們可以在更短的時間內實現量產出貨；而格羅方德則稍顯尷尬，他們的12nm FD－SOI要量產還需要更多的時間，這也將會導致他們繼續落后世界最先進的半導體制造。