臺媒眼下又開始大事宣傳臺積電的5nm了，然而事實是它的10nm工藝至今陷在良率提升上，7nm工藝也在緊鑼密鼓的進行中希望在今年底投產，回顧中國臺灣的這些高科技企業以往的宣傳可見多次出現超出它們實際的宣傳。

臺積電廣受人知的是它的16nmFinFET工藝量產時間延遲。2014年在華為海思的幫助下終于成功量產16nm工藝，不過實際能效卻不如20nm，于是引入FinFET工藝本來的說法是2015年初量產，然而事實卻是該工藝最終延遲到2015年三季度。

由于主要競爭對手三星成功將14nmFinFET工藝在2015年初量產，這是它首次在先進工藝方面領先臺積電，讓后者十分緊張，于是期望在10nm工藝量產時間上領先。臺媒對臺積電的10nm工藝大事宣傳，一度傳出要在去年三季度量產，甚至說由于三星的10nm研發進展不利吸引高通回轉臺積電，結果是10nm工藝直到去年底才量產，但是至今良率都較低，而三星的10nm工藝已開始規模生產高通的驍龍835芯片。

目前臺積電除了要花費大量資源提升10nm工藝的良率外，還要分出資源推動7nm工藝的研發，希望在今年底能實現量產，從而實現趕超三星和Intel。三星的7nm工藝在加緊研發，外界認為能在今年底量產，以用于生產高通的新一代高端芯片；Intel眼下正努力推動10nm工藝在今年量產，普遍認為它的10nm工藝要遠領先于臺積電和三星的10nm，后兩者的7nm工藝在技術水平上才能稍微超過Intel的10nm。

這樣的情況下，臺積電能為5nm工藝研發分出的資源將相當有限，其實從臺媒的說法指該工藝會在2020年量產，也可以證明當下臺積電并不會將太多資源用于該工藝的研發，只有在明年初7nm工藝正式投產后才能全力研發5nm工藝。

中國臺灣的另一家高科技企業聯發科在多核處理器研發方面要領先高通不少，但是它的自主架構研發卻跟不上ARM和聯發科的研發進程，無奈之下于2015年跟進采用ARM的公版核心，就此高通遭遇了重大挫折。

當時高通采用了ARM的公版核心A57和A53推出驍龍810，但是由于臺積電的20nm工藝能效不佳以及優先照顧蘋果將該工藝產能提供給它用于生產A8處理器，導致高通沒有足夠的時間進行優化最終導致發熱問題，2015年高通的高端芯片驍龍8XX系列出貨量大跌六成。

聯發科在2015年推出的MT6795在正式上市前約半年就開始傳出消息，指是四核A57+四核A53架構，性能會十分驚人，曾讓各界相當期待，認為它終于有一款芯片可以趕上高通了，甚至在高通當時驍龍810陷入發熱困境的時候而逆襲，不過最終該款芯片上市后只不過是一款采用八核A53架構的芯片。

2015年底華為海思搶先推出采用ARM公版高性能核心A72的芯片麒麟950，其是四核A72+四核A53架構，geekbench3的數據顯示其單核性能為1712分。臺媒則傳出消息指聯發科采用雙核A72+四核高頻A53+四核低頻A53架構的helio X20由于主頻更高，因此單核性能接近2000分，結果正式上市后卻被發現單核性能甚至低于麒麟950。

回顧臺媒的這些宣傳，只是讓大家對臺媒在宣傳中國臺灣的高科技企業的先進技術研發進展時，要進行思考，而不是完全相信，先進技術研發需要大量人力物力，并非一朝一夕可以取得領先優勢。