2 月 25 日消息，美光科技剛剛宣布，已向生態系統合作伙伴及部分客戶提供基于 1γ 節點、第六代（注：即 10nm 級）DRAM 節點的 DDR5 內存樣品。
據介紹，基于 1γ 節點的 16Gb DDR5 產品 DDR5 內存速度可達 9200MT/s，較上一代提升 15%，可滿足數據中心、端側 AI 設備對高性能計算的需求。
同時，美光的 1γ 節點采用了新一代高 K 金屬柵極 CMOS 技術，結合設計優化，功耗降低超 20%，并顯著改善熱管理性能。
此外，新一代內存通過極紫外光刻（EUV）與工藝創新，使比特密度提升超 30%，有效提升內存供應效率。
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