2 月 25 日消息，美光科技剛剛宣布，已向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及部分客戶提供基于 1γ 節(jié)點(diǎn)、第六代（注：即 10nm 級(jí)）DRAM 節(jié)點(diǎn)的 DDR5 內(nèi)存樣品。
據(jù)介紹，基于 1γ 節(jié)點(diǎn)的 16Gb DDR5 產(chǎn)品 DDR5 內(nèi)存速度可達(dá) 9200MT/s，較上一代提升 15%，可滿足數(shù)據(jù)中心、端側(cè) AI 設(shè)備對(duì)高性能計(jì)算的需求。
同時(shí)，美光的 1γ 節(jié)點(diǎn)采用了新一代高 K 金屬柵極 CMOS 技術(shù)，結(jié)合設(shè)計(jì)優(yōu)化，功耗降低超 20%，并顯著改善熱管理性能。
此外，新一代內(nèi)存通過(guò)極紫外光刻（EUV）與工藝創(chuàng)新，使比特密度提升超 30%，有效提升內(nèi)存供應(yīng)效率。
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