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中芯國際40nm ReRAM存儲芯片出樣

2017-01-16
關(guān)鍵詞: 存儲芯片 40nm ReRAM

目前在下一代存儲芯片的研發(fā)當(dāng)中,除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片(非易失性阻變式存儲器)。2016年3月,Crossbar公司宣布與中芯國際達成合作,發(fā)力中國市場。其中,中芯國際將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。近日,兩者合作的結(jié)晶終于誕生,中芯國際正式出樣40nm工藝的ReRAM芯片。

據(jù)介紹,這種芯片比NAND芯片性能更強,密度比DRAM內(nèi)存高40倍,讀取速度快100倍,寫入速度快1000倍,耐久度高1000倍,單芯片(200mm2左右)即可實現(xiàn)TB級存儲,還具備結(jié)構(gòu)簡單、易于制造等優(yōu)點。

另外,按計劃更先進的28nm工藝ReRAM芯片也將在2017年上半年問世。


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