作為智能手機最重要的一環，SoC在16年發展方向逐漸從過去的“拼最高性能、最高主頻”向著單位性能比拼的方向中去。如何提升單位主頻下的運算性能、如何在超低功耗下提升性能才是未來SoC發展方向。正在巴塞羅那舉辦的16年MWC上，無論是LG G5、三星S7系列甚至即將發布的小米5，都采用了三星14nm FinFET工藝的高通驍龍820。究竟是怎樣一款SoC能獲得今年各家大廠的青睞？我們今天就來對這款今年的旗艦級SoC進行了解。

　　提到驍龍820的性能，我們首先就要提到此次驍龍820選用的三星14nm FinFET工藝。簡單來說更先進的工藝能夠提升單位面積下晶體管數量，提升晶體管性能，提升整體芯片性能。同時通過更先進的制程工藝也能夠達到降低漏電率降低功耗減少發熱的效果。總體而言更先進的制程能在相同的功耗下達到更高的性能，在相同的性能下有著更好的功耗表現。

　　在筆者印象中，Qualcomm有幾款頗具影響力的SoC產品：QSD8250、QSD8260、APQ8064、驍龍800、驍龍801、驍龍820等。其中QSD8250/8260采用自主研發Scorpion架構，驍龍800/801采用自研Krait架構，而此次驍龍820則采用最新的Kryo自研架構。

　　此次采用Kryo架構的驍龍820采用四核心設計，時鐘頻率達到2.2GHz，但有一點值得我們注意，相比于APQ8064、驍龍800、驍龍801不同，此次驍龍820采用了2*2.2GHz+2*1.5GHz的不同時鐘頻率的四顆核心設計。同時，之前驍龍800采用了4aSMP，也就是四個異步對稱式核心，每科核心均能夠單獨控制，每顆核心的頻率也不存在差異。而此次驍龍820采用兩簇核心管控2aSMP，也就是2+2的異步對稱式核心，換句話說2顆1.5GHz核心是同步同頻的，而兩顆2.2GHz也是同步同頻的，但在這兩簇核心組之間采用了異步對稱式的設計。講到這里大家可能認為驍龍820也采用了類似big.LITTLE的設計，但通過Qualcomm官方的講解其實并不是這樣，兩簇核心組僅是時鐘頻率上有所差異，但仍采用相同的Kryo架構。

　　通過圖片，我們可以看到，無論是單核性能、多核性能還是CPU整數、浮點運算方面，驍龍820都全面超越了之前的驍龍810、獵戶座7420等機型，并且已經和蘋果A9處理器性能持平。但更加值得一提的是，驍龍820能夠在10分鐘滿符合高壓測試中保持91%以上的工作效率，并且四核核心也在10分鐘測試過程中保持2*1.5GHz+2*1.8GHz以上的高速運轉。這也說明驍龍820的確解決了漏電功耗較高的問題，能耗比大幅上升。(之前效率最高的芯片為三星Exynos7420)。總體而言，驍龍820采用的Kryo CPU是目前最為強大的移動處理器之一。

　　Qualcomm官方給出數據顯示，Adreno 530相比上一代Adreno 430性能提升40%，并且在功耗方面下降40%，這都得益于Adreno 530的全新架構設計。其中Qualcomm工程師也特別提到，在Adreno 530內部內嵌了一顆超低功耗處理器，用于檢測GPU功耗并且動態調節GPU使之處于最佳狀態，Adreno 530的最高主頻為650MHz。并且在Adreno 530上Qualcomm率先支持了最新的OpenCL 2.0和Renderscript，這也是目前首款支持OpenCL 2.0的智能手機SoC。之前只有例如Nvidia Titan等高端桌面顯卡支持該規格，這也有利于游戲設計廠商將自己的PC大作更容易的移植到智能手機/平板。

　　至于性能方面，我們也通過GFXbench進行了GPU顯示性能測試。通過對比我們可以看到，相比例如Adreno 430、Mali-T760等15年旗艦GPU還是有很大提升，基本和iPhone6s/6s Plus上的PowerVR 7XT系列GPU水平持平。通常意義上我們理解的GPU僅僅是處理UI滑動、渲染游戲場景、協助CPU進行運算。但在未來的一段時間內，包括4K視頻、虛擬現實顯示、增強現實顯示等方面也將發揮決定性的作用。