2010年4月27日，北京訊 – 恒憶（Numonyx）作為相變存儲技術（PCM）的創新者，今天宣布正式推出全新系列相變存儲器。該系列產品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術，具有更高的寫入性能、耐寫次數和設計簡易性，適用于固線和無線通信設備、消費電子、PC和其他嵌入式應用設備。目前該產品已經量產，并向市場供貨。
　
　　這種新的嵌入式存儲器融閃存、RAM和EEPROM三大存儲器的優點于一身，一顆存儲器芯片即可實現很多新功能。今天，新產品發布采用了新品牌Numonyx® Omneo™ PCM，其寫入速度有望達到現有閃存的300倍，耐寫次數達到10倍*。
　
　　“自閃存于1988年問世至今，業內還從未見過一個如此嶄新的高密度存儲技術，”恒憶副總裁兼嵌入式系統業務部總經理Glen Hawk表示，“今天，對于代碼存儲和執行，以及數據存儲應用，設計工程師必須使用不同類型的存儲器?，F在，隨著恒憶的Omneo相變存儲器問世，設計人員將獲得一個簡單的、單一存儲器解決方案。”
　
　　今天推出的新產品包括支持串行外設接口（SPI）的存儲器(Omneo™ P5Q PCM)和支持并行NOR接口的存儲器(Omneo™ P8P PCM)。兩種接口產品都充利用新的PCM的技術優勢，同時兼容工業標準的串行接口和并行接口。
　
Numonyx® Omneo™ P5Q PCM
　　Omneo™ P5Q PCM是一款兼容高速SPI接口的90nm相變存儲器，集串行NOR閃存和EEPROM兩大存儲器的技術優點于一身，具有字節修改功能以及更高的寫入速度和耐寫性能。
　
　　新存儲器支持字節修改功能，執行寫操作無需再擦除大數據區塊，從而使數據處理和軟件編程變得更容易。覆寫即“無擦除”功能讓工程師和設計人員能夠簡化軟件開發任務，提升系統性能，將存儲器寫時間縮短到閃存的三百分之一。新產品Omneo™ P5Q的耐寫次數達到100萬次，可寫數據的量次是閃存的10倍。
 　
Numonyx® Omneo™ P8P PCM
　　Numonyx® P8P PCM是恒憶推出的第二款90nm128Mb并口相變存儲器。第一款是在2008年12月推出的，支持10萬次的耐寫次數。第二款產品將這個參數提高到100萬次。
　
　現在兩款產品均在量產。
　
Numonyx® Omneo™演繹“全能，全新”
　　恒憶還發布了公司為嵌入式應用相變存儲器創建的新品牌：Numonyx® Omneo™ PCM。采用產品專用品牌方法是為了更效地支持公司的產品戰略：針對特定的客戶應用市場需求，研發量身訂制的存儲器解決方案。
　
　　“因為相變存儲器的特性不同，能夠解決不同細分市場的獨特難題，所以恒憶決定用差異化的品牌戰略宣傳新產品的獨特性，” 恒憶主管公司市場部的高級總監Raymond Solone表示，“相變存儲器技術帶給客戶的新功能和優勢，我們謀求直接將品牌戰略與PCM為實際應用領域帶來的價值，以及利用這項技術優勢的細分市場緊密聯系起來。PCM是一項超乎尋常的存儲器技術。”
　
　　Omneo™ 品牌代表相變存儲器適用于嵌入式設計領域所有應用的內在能力（“omni”）和新一類存儲器（“neo”）。從消費電子到工業應用，Omneo系列相變存儲器的研制目標是實現嵌入式存儲器系統創新的設計方法，提供長遠的制程升級能力和產品可靠性。