不久前ARM才宣布與臺積電完成首款以16nmFinFET制程技術(shù)優(yōu)化64位元ARMv8處理器系列產(chǎn)品的消息，并且最快在今年內(nèi)就成正式量產(chǎn)，目前臺積電方面也透露將在2015年左右完成以EUV(波長較短的紫外線)為基礎(chǔ)原理的10nm制成技術(shù)，估計將以此加速超越過去摩爾定律所提出硬件進步速率。
根據(jù)EETimes網(wǎng)站報導(dǎo)指出，在目前與三星等廠商競爭下，臺積電除了稍早與ARM宣布將完成以16nmFinFET制程技術(shù)優(yōu)化64位元ARMv8處理器系列產(chǎn)品，并且將在2013年底前開始量產(chǎn)的消息外，目前也透露將在2015年間左右跨入10nm制程技術(shù)，同時也說明將強化既有3D芯片堆疊制作技術(shù)，并且擴大現(xiàn)有28nm制程產(chǎn)量產(chǎn)能。
臺積電創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長張忠謀于近期訪談時表示，估計在7-8年間將會加速從10nm制程跨入小至7nm制程技術(shù)的速度，藉此將再讓摩爾定律重新被定義。
另一方面，先前根據(jù)Intel所透露旗下產(chǎn)品制程發(fā)展藍圖，其中也透露將在2015年之后跨入10nm、7nm或5nm制程里程，在2013年間的產(chǎn)品制程將以14nm為主。
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