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SLC NAND閃存針對嵌入式市場升級工藝標準

2012-07-03

日前,Spansion公司宣布其首個單層單元(SLC)系列Spansion NAND閃存產品開始出樣,它采用4x nm浮柵技術,專門用于汽車、消費及網絡應用的數據存儲需求。Spansion SLC NAND將分為3.0V和1.8V兩個系列,存儲容量在1Gb~8Gb之間,該產品性能更高、溫度范圍更廣,享有長期技術支持并且符合嚴格的可靠性要求,例如1位錯誤校正碼(ECC)。

 

據Spansion公司市場總監曾子干介紹,用于通用存儲領域的NAND產品主要是多層單元存儲(MLC),它存儲容量大,但是速度慢、可靠性能低、產品壽命短且隨著使用周期增長質量在逐步減弱,與之相比,SLCNAND讀寫次數多、速度快且可靠性高,因此更適合嵌入式市場獨特的應用需求。

 

新的SLC NAND閃存解決方案不僅能夠滿足日益增長的數據存儲需求,而且繼承了Spansion產品可靠性高、使用壽命長的優點。全新SLC NAND產品可與Spansion的并行及串行NOR產品互補,使該公司產品線更完整。若產品設計要求高性能的代碼執行和數據存儲以創造豐富的用戶體驗時,設計師可以選擇并行或串行NOR閃存。Spansion希望通過豐富的NOR和NAND閃存產品組合,為嵌入式設備制造商提供各種類型的非易失性存儲器產品。

 

IHS iSuppli公司記憶與存儲市場首席高級分析師Michael Yang認為,在汽車和消費產品細分市場的助推下,SLC NAND在嵌入式行業發展勢頭強勁。而家用產品和汽車日趨智能化,對于產品使用壽命也提出了更高的要求,這正好為SLC NAND提供了巨大的增長潛力。

 

面對日益增長的市場需求,曾子干表示,Spansion已做好持續擴大閃存產品的準備,以滿足產業的嚴苛要求。Spansion將對其NAND產品進行嚴格的認證、測試以及廣泛的溫度支持和封裝。由Spansion公布的到2017年為止的SLC NAND產品完整規劃圖可以看出,Spansion目前采用4x nm浮柵技術的1 Gb~8 Gb SLC NAND解決方案,到2012年底將升級至3x nm浮柵技術,并在2014年升級至2x nm。目前,Spansion已經與SK Hynix組成策略聯盟,為嵌入式市場提供4x、3x和2x工藝節點的Spansion SLC NAND產品,高能效、高可靠度的SLC NAND產品組合,結合Spansion在這一領域備受肯定的客戶支持,可繼續實現其對于嵌入式市場的長期供應承諾。

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