近日，日本NAND Flash閃存大廠鎧俠（Kioxia）宣布，將在今年內(nèi)量產(chǎn)其第9代BiCS 3D NAND FLASH閃存技術(shù)的512Gb TLC產(chǎn)品已開(kāi)始進(jìn)行樣品出貨，預(yù)估將在今年度內(nèi)（2026年3月底之前）進(jìn)行量產(chǎn)。
鎧俠表示，上述產(chǎn)品采用以第5代BiCS FLASH技術(shù)為基礎(chǔ)的120層堆疊制程技術(shù)和最新的CMOS技術(shù)，和該公司2022年開(kāi)始生產(chǎn)的第6代BiCS FLASH產(chǎn)品相比，寫入性能提高61%、讀取性能提高了12%，并且功耗改善了約30%（寫入時(shí)改善36%、讀取時(shí)改善27%）。
鎧俠第9代BiCS FLASH 3D閃存產(chǎn)品利用四日市工廠生產(chǎn)，預(yù)估將應(yīng)用于智能手機(jī)等用途。
值得一提的是，鎧俠6月5日公布了中長(zhǎng)期營(yíng)運(yùn)計(jì)劃，目標(biāo)在截至2029年度為止的5年內(nèi)、將產(chǎn)能提高至2024年度的2倍。鎧俠將在日本2座主要工廠（四日市工廠、北上工廠）擴(kuò)增產(chǎn)線、增產(chǎn)AI數(shù)據(jù)中心用NAND Flash。
鎧俠北上工廠“第2廠房（K2）”將在9月投產(chǎn)、生產(chǎn)第8代NAND Flash “BiCS8”，而鎧俠將提高 “BiCS8”生產(chǎn)比重，目標(biāo)在2026年3月將其營(yíng)收規(guī)模超越目前產(chǎn)品。
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