COMPUTEX 2025期間，AI基礎(chǔ)建設(shè)當(dāng)仁不讓的成為了重要話題。特別是隨著AI應(yīng)用的不斷挖掘，AI算力設(shè)施就像是互聯(lián)網(wǎng)設(shè)施、電力設(shè)施一般變得不可替代，如何將數(shù)據(jù)中心升級成AI工廠已經(jīng)成為行業(yè)考慮的問題。
當(dāng)DeepSeek等AI新方案崛起，AI基礎(chǔ)設(shè)施的重心不再過分倚重于GPU單一硬件，而是分配更多的資源到強(qiáng)大的并行能力、存儲方案中，以解決更為細(xì)分的應(yīng)用場景，當(dāng)雪藏的數(shù)據(jù)被重新啟用，由冷數(shù)據(jù)變成溫?cái)?shù)據(jù)的時(shí)候，機(jī)械硬盤開始難以承擔(dān)高速讀寫和數(shù)據(jù)傳輸?shù)闹厝危跈C(jī)械硬盤和固態(tài)硬盤中間找到成本、容量、性能的平衡點(diǎn)變得非常重要，企業(yè)級的QLC技術(shù)進(jìn)而被推向前臺。
QLC技術(shù)推向市場已經(jīng)有一段時(shí)間，但以往的QLC受限于技術(shù)原因，讀寫速度和壽命均受到詬病，以至于很長時(shí)間內(nèi)難以在企業(yè)級市場得到推廣。隨著近年來半導(dǎo)體工藝制成技術(shù)的不斷提升，存儲密度和邏輯電路不斷優(yōu)化和升級，QLC的可靠性和讀寫速率都得到了質(zhì)的飛躍。例如鎧俠通過CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）技術(shù)將存儲單元與邏輯單元分配到兩個(gè)晶圓上分別制造，從而可以根據(jù)不同單元的制造特性優(yōu)化流程，并獲得更好的效能。
值得注意的是，鎧俠第八代BiCS FLASH? TLC和QLC產(chǎn)品均使用了CBA技術(shù)，從而實(shí)現(xiàn)了33%的NAND接口速度提升，達(dá)到4.8Gb/s。此外，該技術(shù)也顯著提升了數(shù)據(jù)輸入/輸出的能效，輸入功耗降低10%，輸出功耗降低34%，成功實(shí)現(xiàn)了高性能與低功耗的最優(yōu)平衡。
以此為基礎(chǔ)，基于鎧俠第八代BiCS FLASH? QLC NAND的鎧俠LC9系列固態(tài)硬盤在近期發(fā)布，讓存儲容量來到了122.88TB，0.3DWPD耐久度，支持雙端口2.5英寸外形尺寸，并符合NVMe? 2.0、NVMe-MI? 和PCIe? 5.0 規(guī)范（支持Gen5 單 x4、雙 x2配置，最高可達(dá)128 GT/s）。
得益于鎧俠第八代BiCS FLASH? QLC NAND的高效傳輸，鎧俠LC9系列固態(tài)硬盤很好的兼顧了性能和價(jià)格，為AI計(jì)算溫?cái)?shù)據(jù)提供了海量的存儲空間，進(jìn)而加速AI應(yīng)用落地，為企業(yè)客戶搶占更多市場先機(jī)。
如果追求更高性能，與鎧俠LC9系列同期推出的鎧俠CM9系列非常值得關(guān)注，這款產(chǎn)品鎧俠第八代BiCS FLASH? TLC NAND打造，與上一代 KIOXIA CM7 系列相比，KIOXIA CM9 系列固態(tài)硬盤的隨機(jī)寫入性能提升高達(dá) 65%，隨機(jī)讀取性能提升高達(dá) 55%，順序?qū)懭胄阅芴嵘哌_(dá) 95%。此外，其每瓦性能也得到提升：順序讀取效率提升約 55%，順序?qū)懭胄侍嵘s 75%。
同樣，鎧俠CM9系列符合 PCIe? 5.0、NVMe? 2.0、NVMe-MI? 1.2c 和 OCP 數(shù)據(jù)中心 NVMe? SSD 2.5 規(guī)范，支持 2.5 英寸和 E3.S 外形尺寸的雙端口，順序讀寫性能（128 KiB/QD32）– 讀取速度 14.8 GB/s，寫入速度 11 GB/s，隨機(jī)性能（4KiB）達(dá)到 3,400 KIOPS （QD512） 和 800 KIOPS （QD32），是優(yōu)秀的旗艦級產(chǎn)品， 2.5 英寸容量高達(dá) 61.44 TB，E3.S 容量高達(dá) 30.72 TB，是一款表現(xiàn)優(yōu)秀的企業(yè)級固態(tài)硬盤。
無論TLC還是QLC技術(shù)，鎧俠企業(yè)級和數(shù)據(jù)中心級固態(tài)硬盤，已經(jīng)給客戶的AI應(yīng)用準(zhǔn)備好了更為高效、可靠的存儲解決方案。通過與行業(yè)合作伙伴不斷加深合作，不斷挖掘數(shù)據(jù)存儲效率新價(jià)值，為AI計(jì)算提供可靠的存儲后盾，探索更多AI的可能性。
更多精彩內(nèi)容歡迎點(diǎn)擊==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<
