瑞薩科技公司與松下公司共同宣布，在瑞薩那珂分部(茨城縣日立那珂市)集中精力聯(lián)合開(kāi)發(fā)領(lǐng)先的SoC工藝技術(shù)，并將其28-32nm工藝開(kāi)發(fā)線投入運(yùn)營(yíng)。在瑞薩那珂分部，兩家公司正通過(guò)致力于對(duì)300mm晶圓產(chǎn)品線的聯(lián)合開(kāi)發(fā)和提供聯(lián)合開(kāi)發(fā)結(jié)構(gòu)，進(jìn)行28nm工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)，旨在不久的將來(lái)將其投入批量生產(chǎn)。 早在1998年瑞薩還未正式成立之時(shí)，即已與松下約定聯(lián)合開(kāi)發(fā)新一代SoC技術(shù)，并在瑞薩北伊丹事務(wù)所(兵庫(kù)縣依丹市)不斷開(kāi)發(fā)面向90nm、65nm、45nm和32nm系列的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。2008年10月，在將具有金屬/高k柵極堆棧結(jié)構(gòu)與面向32nm系統(tǒng)SoC工藝的超低k材料晶體管技術(shù)進(jìn)行結(jié)合，而使互聯(lián)技術(shù)得到開(kāi)發(fā)后，即確立了將其投入批量生產(chǎn)的目標(biāo)日期。 此后，在2009年7月，雙方又利用面向28nm工藝的金屬/高k柵極堆棧結(jié)構(gòu)合作開(kāi)發(fā)了SRAM單元。現(xiàn)在，在這些成果的基礎(chǔ)上，兩家公司開(kāi)始運(yùn)營(yíng)該生產(chǎn)線，以便在新近安裝于瑞薩那珂分部的300nm晶圓開(kāi)發(fā)線內(nèi)，利用28nm制造工藝技術(shù)聯(lián)合開(kāi)發(fā)全集成技術(shù)。 在那珂分部的開(kāi)發(fā)線中，除了從瑞薩北伊丹事務(wù)所轉(zhuǎn)移過(guò)來(lái)的部分開(kāi)發(fā)線設(shè)備以外，兩家公司還安裝了全新的生產(chǎn)設(shè)備，以開(kāi)發(fā)批量生產(chǎn)中實(shí)際所需的晶圓尺寸的產(chǎn)品，完成順利向批量生產(chǎn)階段的過(guò)渡，達(dá)到削減開(kāi)發(fā)成本、縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間，從而提高開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)效率的目的。 28-32nm SoC工藝技術(shù)作為聯(lián)合開(kāi)發(fā)的成果，已經(jīng)應(yīng)用到兩家公司推出的先進(jìn)移動(dòng)應(yīng)用和數(shù)字家電的SoC中。此外，這些產(chǎn)品也已在兩家公司的各個(gè)分部實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)。 從促進(jìn)早期技術(shù)積累到取得如今的成果，兩家公司一直借助于這種長(zhǎng)期的合作伙伴關(guān)系，進(jìn)行持續(xù)有效地開(kāi)發(fā)，并致力于將這些先進(jìn)技術(shù)及早地投入到應(yīng)用中去。