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美對多家中國公司發(fā)起337調(diào)查：步步高、海信、TCL等企業(yè)在列
發(fā)表于：2019/3/29 6:00:00
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MathWorks發(fā)布2019a版MATLAB和Simulink
發(fā)表于：2019/3/27 6:00:00
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Vishay推出首款通過AEC-Q200認(rèn)證，適用于Class X1 / Y1應(yīng)用的陶瓷盤式電容器
發(fā)表于：2019/3/27 6:00:00
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全球首款面向半導(dǎo)體技術(shù)的鍵合鍍金銀線 以更低的成本確保高性能
發(fā)表于：2019/3/21 6:00:00
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大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)推出Novatek智能IPCAM解決方案
發(fā)表于：2019/3/15 6:00:00
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網(wǎng)傳瑞薩電子工廠停產(chǎn)？瑞薩官方這樣回應(yīng)……
發(fā)表于：2019/3/9 6:00:00
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三部門印發(fā)《超高清視頻產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計劃（2019-2022年）》通知
發(fā)表于：2019/3/5 6:00:00
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生活中有哪些地方應(yīng)用了陀螺儀的不倒特性
發(fā)表于：2019/3/5 6:00:00
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碳化硅VS氮化鎵，寬禁帶半導(dǎo)體材料雙雄能否帶中國實現(xiàn)彎道超車
發(fā)表于：2019/3/5 6:00:00
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Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅(qū)動器
發(fā)表于：2019/2/28 6:00:00
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MEMS器件最常見的四大分類
發(fā)表于：2019/1/31 6:00:00
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倒焊芯片技術(shù)這么優(yōu)秀，為何未能大面積普及
發(fā)表于：2019/1/31 6:00:00
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存儲行業(yè)動蕩不堪！2018年這些全球存儲巨頭表現(xiàn)如何
發(fā)表于：2019/1/24 6:00:00
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為什么說石墨烯很可能成為替代硅的絕佳選擇
發(fā)表于：2019/1/23 6:00:00
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非易失性存儲器和易失性存儲器的對比
發(fā)表于：2019/1/23 6:00:00
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萊迪思半導(dǎo)體任命Mark Nelson為全球銷售副總裁
發(fā)表于：2019/1/22 22:00:00
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未來電阻器的應(yīng)用特點和趨勢
發(fā)表于：2019/1/15 6:00:00
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品牌集體倒戈TOF 結(jié)構(gòu)光要涼
發(fā)表于：2019/1/11 6:00:00
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2018年半導(dǎo)體領(lǐng)域影響力很大的人事變動事件
發(fā)表于：2019/1/5 6:00:00
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華潤上華600V半橋工藝成功量產(chǎn)
發(fā)表于：2019/1/2 17:33:48
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IGBT在逆變器和變頻電源中的應(yīng)用分析
發(fā)表于：2019/1/2 11:23:25
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智能傳感器為何能成為我國企業(yè)重點布局的對象
發(fā)表于：2018/12/23 18:39:51
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中國科學(xué)家首次觀測到三維量子霍爾效應(yīng)
發(fā)表于：2018/12/23 18:38:14
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2018國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)計、制造、封測十大企業(yè)
發(fā)表于：2018/12/17 6:00:00
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氧化鎵溝槽肖特基勢壘二極管具有超低泄漏特性
發(fā)表于：2018/12/14 6:00:00
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GAA MOSFET有望超越FinFET成為新的技術(shù)選擇
發(fā)表于：2018/12/14 6:00:00
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IGBT如何讓變頻電源更加安全
發(fā)表于：2018/12/13 6:00:00
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定制化已成芯片設(shè)計業(yè)唯一出路
發(fā)表于：2018/12/8 6:00:00
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三菱電機(jī)聯(lián)合東京大學(xué)提出提高SiC功率半導(dǎo)體可靠性的新機(jī)制
發(fā)表于：2018/12/7 6:00:00
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遏止中國半導(dǎo)體發(fā)展：傳美國明年擴(kuò)大半導(dǎo)體設(shè)備出口管制
發(fā)表于：2018/12/7 6:00:00
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