19~21 GHz GaAs高線性功率放大器MMIC | |
所屬分類:技術(shù)論文 | |
上傳者:wwei | |
文檔大小:5134 K | |
標(biāo)簽: 自適應(yīng)穩(wěn)壓偏置 冷模 高線性 | |
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文檔介紹:基于0.15 μm GaAs高電子遷移率晶體管(pHEMT)工藝研制了一款19~21 GHz的高線性功率放大器單片微波集成電路。高峰均比信號傳輸場景中,功率放大器的效率和線性度對射頻前端性能具有關(guān)鍵影響。該放大器在功放柵極級聯(lián)冷模線性化電路,以補(bǔ)償放大器輻相失真特性,進(jìn)而實現(xiàn)線性度和效率的提升,為克服冷模對電壓敏感問題,采用片上有源穩(wěn)壓及溫度補(bǔ)償偏置電路擴(kuò)展動態(tài)范圍,降低大動態(tài)失真,抑制工藝離散、外部離散等帶來的線性度惡化問題。測試結(jié)果表明,在19~21 GHz頻帶內(nèi),飽和輸出功率為22.3~22.8 dBm,飽和功率附加效率為35.3%~36.5%。在19 GHz、20 GHz和21 GHz頻點,輸出功率19 dBm時,三階互調(diào)失真均小于-30 dBc;6 dB峰均比、100 MHz正交頻分多路復(fù)用的64-QAM調(diào)制信號激勵下,平均輸出功率及對應(yīng)的功率附加效率為19 dBm和27%,實現(xiàn)了-31.9 dBc、-33.2 dBc和-31.2 dBc的鄰道功率比及4.32%、4.13%和5.3%的誤差矢量幅度。 | |
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