| 基于碳化硅MOSFET半橋驅(qū)動及保護(hù)電路設(shè)計 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大小：6563 K | |
| 標(biāo)簽： 碳化硅MOSFET 驅(qū)動電路 有源米勒鉗位 | |
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| 文檔介紹：針對碳化硅MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計難度較大、門極易受串?dāng)_、保護(hù)功能不齊全以及全國產(chǎn)化的問題，基于國產(chǎn)芯片設(shè)計了一款碳化硅MOSFET半橋驅(qū)動及保護(hù)電路。重點分析總結(jié)了碳化硅MOSFET有源米勒鉗位保護(hù)、退飽和保護(hù)以及橋臂互鎖保護(hù)原理與模型。在隔離原邊信號與副邊信號的同時，采用18 V/-3.3 V的高低電平，實現(xiàn)對上、下橋臂碳化硅MOSFET的控制，同時集成了欠壓鎖定、退飽和保護(hù)、橋臂互鎖、有源米勒鉗位保護(hù)的功能。與國際先進(jìn)水平Wolf Speed的碳化硅MOSFET驅(qū)動板CGD1200HB2P-BM2進(jìn)行了參數(shù)對比和功能測試。實驗結(jié)果表明，該電路開關(guān)參數(shù)與CGD1200HB2P-BM2驅(qū)動板相近，滿足碳化硅MOSFET驅(qū)動需求，并能可靠觸發(fā)保護(hù)功能。電路已實際應(yīng)用于碳化硅MOSFET的驅(qū)動中。 | |
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