| DRAM研究現(xiàn)狀與發(fā)展方向 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大小：4444 K | |
| 標(biāo)簽： DRAM 無電容存儲單元 3D DRAM | |
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| 文檔介紹：動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）因其高存儲密度和成本效益，在現(xiàn)代大規(guī)模計算機(jī)和超高速通信系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。主要介紹動態(tài)DRAM的發(fā)展歷程、關(guān)鍵技術(shù)、國內(nèi)外研究進(jìn)展以及未來發(fā)展方向。首先，介紹了DRAM的分類、基本單元結(jié)構(gòu)、工作原理。其次，詳細(xì)介紹了DDR SDRAM的關(guān)鍵性能指標(biāo)以及專用DRAM的發(fā)展。然后，介紹了提高DRAM訪問速度、容量與密度的創(chuàng)新DRAM架構(gòu)和技術(shù)，以及無電容存儲單元結(jié)構(gòu)、3D堆疊DRAM技術(shù)以及Rowhammer安全問題及其防御機(jī)制。最后，展望了DRAM技術(shù)的未來發(fā)展方向，闡述了為了應(yīng)對日益增長的高速、低功耗和高可靠性的存儲需求，對現(xiàn)有DRAM技術(shù)的進(jìn)行深入研究和創(chuàng)新的重要性。 | |
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