| 一種基于CLASS-AB類運放的無片外電容LDO設計* | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：zhoubin333 | |
| 文檔大?。?span>3888 K | |
| 標簽： 低壓差線性穩(wěn)壓器 瞬態(tài)增強電路 動態(tài)偏置電路 | |
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| 文檔介紹：介紹了一種基于CLASS-AB類運放無片外電容的低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）。電路在高擺率誤差放大器（EA）的基礎上，通過構建動態(tài)偏置電路反饋到EA內部動態(tài)偏置管，大幅改善了LDO的瞬態(tài)響應能力，且動態(tài)偏置電路引入的左半平面零點保證了LDO的環(huán)路穩(wěn)定性。同時，EA采用過沖檢測電路減小了輸出過沖，縮短了環(huán)路穩(wěn)定時間。電路基于65 nm CMOS工藝設計和仿真。仿真結果表明，在負載電流10 μA~50 mA、輸出電容0~50 pF條件下，LDO輸出穩(wěn)定無振蕩。在LDO輸入2.5 V、輸出1.2 V、無片外電容條件下，控制負載在10 μA和50 mA間跳變，LDO輸出恢復時間為0.7 μs和0.8 μs，下沖和上沖電壓為58 mV和15 mV。 | |
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