| 一種片外電容交叉充放電型振蕩電路設(shè)計 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：zhoubin333 | |
| 文檔大小：3831 K | |
| 標(biāo)簽： 環(huán)形振蕩 電容充放電 電源控制芯片 | |
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| 文檔介紹：CMOS環(huán)形振蕩器具有版圖面積小、調(diào)諧范圍大、電路簡單便于集成等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各類電源系統(tǒng)及電子通信應(yīng)用中。在常規(guī)的環(huán)形振蕩電路基礎(chǔ)上，設(shè)計了獨(dú)立的充放電控制通路，實(shí)現(xiàn)了一種交叉充放電型環(huán)形振蕩電路，并通過外接片外電容的方式，得到更低頻率的振蕩周期。基于0.18 μm工藝，采用HSIM工具對電路進(jìn)行功能仿真，經(jīng)過后端物理實(shí)現(xiàn)后，版圖面積為172 μm×76 μm，對電路進(jìn)行提參后仿，結(jié)果表明：在3.3 V電壓及25 ℃條件下，外接10 nF接地電容時，電路獲得約1.2 ms的穩(wěn)定振蕩周期。在Vcc=2.7 V~5.5 V、T=-55 ℃~125 ℃條件下，時鐘周期的最大偏移為5.83%。該電路已成功應(yīng)用于某電源控制芯片中。 | |
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