| 基于CMOS閾值電壓設(shè)計(jì)的電壓基準(zhǔn)源 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：3857 K | |
| 標(biāo)簽： 電壓基準(zhǔn) 閾值電壓 溫度系數(shù) | |
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| 文檔介紹：基于TSMC 0.18 µm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，提出了一種新型無(wú)電阻低溫漂電壓基準(zhǔn)源。通過(guò)采用CMOS閾值電壓（Vth）和與溫度成正比的電壓（VPTAT）作為基礎(chǔ)線性溫度單元加權(quán)求和的方式，消除了電壓基準(zhǔn)源輸出中殘留的非線性溫度分量，最終得到高精度的電壓基準(zhǔn)輸出。其中CMOS閾值電壓由無(wú)電阻結(jié)構(gòu)產(chǎn)生，VPTAT的產(chǎn)生和與CMOS閾值電壓的加權(quán)求和由非對(duì)稱差分運(yùn)放完成。實(shí)測(cè)結(jié)果證明，在-55 ℃~125 ℃溫度范圍內(nèi)，電壓基準(zhǔn)源輸出為1.23 V，溫度系數(shù)為4.5 ppm/℃。在無(wú)濾波電容的情況下，基準(zhǔn)電源抑制比可達(dá)-93 dB。 | |
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