| 一種12 GHz的高增益低噪聲放大器 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：572 K | |
| 標(biāo)簽： GaAs pHEMT LNA 共電流兩級結(jié)構(gòu) | |
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| 文檔介紹：通過分析GaAs pHEMT器件特性設(shè)計了一款兩級高增益、低功耗的低噪聲放大器。采用兩級結(jié)構(gòu)提高低噪聲放大器的增益，設(shè)計了一種共用電流結(jié)構(gòu)，降低了放大器的功耗，同時降低電路噪聲。輸入、輸出匹配均采用LC階梯匹配網(wǎng)絡(luò)，具有良好的匹配性，并使用CAD軟件對電路進行設(shè)計優(yōu)化。電路仿真結(jié)果表明，在中心頻率12 GHz下實現(xiàn)了增益為27.299 dB、噪聲系數(shù)為0.889 dB、S11和S22均小于-10 dB的性能，工作帶寬為600 MHz。此低噪聲放大器作為12 GHz頻段的接收機的前端設(shè)計研究，具有一定意義。 | |
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