| DC-60 GHz硅基垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)仿真設(shè)計(jì) | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大?。?span>747 K | |
| 標(biāo)簽： 三維集成 硅轉(zhuǎn)接板堆疊 垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu) | |
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| 文檔介紹：設(shè)計(jì)了一種基于多層硅轉(zhuǎn)接板堆疊的垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)，對(duì)DC-60 GHz頻段內(nèi)不考慮和考慮硅表面SiO2層的兩種層間結(jié)構(gòu)的垂直互聯(lián)仿真結(jié)果進(jìn)行對(duì)比，證明了硅表面SiO2層存在會(huì)對(duì)諧振頻率及阻抗等射頻性能產(chǎn)生影響；對(duì)后者垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)進(jìn)行參數(shù)優(yōu)化，射頻傳輸性能較好，頻率40 GHz以下時(shí)回波損耗S11小于-30 dB，60 GHz以下整體S11小于-15 dB，插入損耗S12在50 GHz以下大于-0.32 dB；研究了硅表面SiO2絕緣層厚度變化對(duì)射頻信號(hào)傳輸性能的影響，結(jié)果表明適當(dāng)增加其厚度有助于垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)性能優(yōu)化。 | |
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