| 基于場路耦合的反激變換器板級輻射研究 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：1043 K | |
| 標(biāo)簽： 開關(guān)電源 反激變換器 輻射干擾 | |
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| 文檔介紹：輻射干擾問題是制約電源產(chǎn)品高頻化、小型化的因素之一。基于場路耦合的仿真思路，建立MOSFET的電磁場有限元模型和高頻變壓器的等效高頻電路模型。結(jié)合從SIwave電磁仿真軟件中提取的PCB網(wǎng)絡(luò)參數(shù)，對一款5 W輸出的反激變換器的板級輻射干擾進(jìn)行聯(lián)合仿真，并對比了兩種高頻變壓器模型對遠(yuǎn)場仿真結(jié)果的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在230 MHz以內(nèi)的頻段3 m遠(yuǎn)場仿真超標(biāo)頻點(diǎn)與實(shí)測吻合，驗(yàn)證了該仿真方法的正確性，且簡化的變壓器二電容模型具有更寬頻帶的適用性；所得到的近場電磁場分布表明MOSFET和變壓器副邊的整流二極管是主要的輻射源。 | |
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