| 基于GaN HEMT寬帶低噪聲放大器設(shè)計(jì) | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：671 K | |
| 標(biāo)簽： 低噪聲放大器 氮化鎵 高電子遷移率晶體管 | |
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| 文檔介紹：為了滿足不同通信標(biāo)準(zhǔn)的要求，利用氮化鎵高電子遷移率晶體管器件設(shè)計(jì)了一個(gè)高線性度寬頻帶低噪聲放大器。低噪聲放大器采用兩級(jí)電阻負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，利用集總參數(shù)元件和微帶線對(duì)低噪聲放大器的輸入和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)低噪聲、高線性度、寬頻帶和小回波損耗。在1～3 GHz頻率范圍內(nèi),仿真結(jié)果表明，低噪聲放大器的噪聲噪聲系數(shù)為2.39～3.21 dB，輸入端反射系數(shù)小于-10.6 dB，輸出端反射系數(shù)小于-17.9 dB，增益為23.74～25.68 dB，增益平坦度小于±0.97 dB，1 dB壓縮點(diǎn)輸出功率大于24.12 dBm，三階交調(diào)截取點(diǎn)輸出功率大于36.55 dBm。實(shí)際測試增益為22.08～26.12 dB，基本符合仿真結(jié)果。 | |
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