| 用于硅半導(dǎo)體探測(cè)器的電荷靈敏放大器的研制 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：serena | |
| 標(biāo)簽： 硅半導(dǎo)體 探測(cè)器 電荷靈敏放大器 | |
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| 文檔介紹： 氛及其子體的能譜測(cè)量中常用到鈍化離子注人硅探測(cè)器或金硅面壘探測(cè)器。本文介紹了一種用于這兩類硅半導(dǎo)體探測(cè)器的電荷靈敏放大器的實(shí)例，它由電荷靈敏級(jí)和電壓放大級(jí)構(gòu)成。給出了它的設(shè)計(jì)思想和調(diào)試過(guò)程。介紹了測(cè)試手段并測(cè)試了它的技術(shù)指標(biāo)，說(shuō)明了應(yīng)用場(chǎng)合。 | |
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