| SiCOI MESFET的特性分析 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：serena | |
| 標(biāo)簽： MESFET ISE-TCAD | |
| 所需積分：1分積分不夠怎么辦？ | |
| 文檔介紹： 使用ISE-TCAD二維器件仿真軟件,對(duì)SiCOI MESFET的電學(xué)特性進(jìn)行模擬分析。結(jié)果表明,通過(guò)調(diào)整器件結(jié)構(gòu)參數(shù),例如門(mén)極柵長(zhǎng)、有源層摻雜濃度、有源區(qū)厚度等,對(duì)器件轉(zhuǎn)移特性、輸出特性有較大影響。 | |
| 現(xiàn)在下載 | |
| VIP會(huì)員，AET專家下載不扣分；重復(fù)下載不扣分，本人上傳資源不扣分。 | |
MESFET 相關(guān)資源
Copyright ? 2005-2024 華北計(jì)算機(jī)系統(tǒng)工程研究所版權(quán)所有 京ICP備10017138號(hào)-2