| SiCOI MESFET的特性分析 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：serena | |
| 標(biāo)簽： MESFET ISE-TCAD | |
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| 文檔介紹： 使用ISE-TCAD二維器件仿真軟件,對SiCOI MESFET的電學(xué)特性進(jìn)行模擬分析。結(jié)果表明,通過調(diào)整器件結(jié)構(gòu)參數(shù),例如門極柵長、有源層摻雜濃度、有源區(qū)厚度等,對器件轉(zhuǎn)移特性、輸出特性有較大影響。 | |
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