EDA與制造相關文章 全球電視ODM工廠TOP10出爐 8月15日消息，洛圖科技（RUNTO）今日公布了全球TOP電視ODM工廠7月出貨報告。 統(tǒng)計范圍內(nèi)，2024年7月，Top10的專業(yè)ODM工廠出貨總量較去年同期增長19.8%，環(huán)比6月增長2.9%。10家專業(yè)工廠中，有8家實現(xiàn)了同比增長，且各有亮點，難見的一副欣欣向榮的景象。 發(fā)表于：8/15/2024 國內(nèi)首臺超大尺寸鈣鈦礦太陽能電池組件激光刻蝕設備發(fā)布 國內(nèi)首臺超大尺寸鈣鈦礦太陽能電池組件激光刻蝕設備發(fā)布 發(fā)表于：8/15/2024 消息稱SK海力士啟動M16擴產(chǎn) 消息稱SK海力士啟動M16擴產(chǎn)，目標將公司內(nèi)存產(chǎn)能提升約18% 發(fā)表于：8/15/2024 北極雄芯宣布兩顆芯粒成功交付流片 8月14日消息，北極雄芯(Polar Bear Tech)官方宣布，歷經(jīng)近2年的設計開發(fā)，自主研發(fā)的啟明935系列芯粒(Chiplet)已經(jīng)成功交付流片，而且一次性投出兩顆，一是通用型HUB Chiplet“啟明935”，二是原生支持Transformer全系算子的AI Chiplet“大熊星座”。 發(fā)表于：8/15/2024 英國監(jiān)管機構(gòu)啟動對Synopsys以350億美元收購Ansys的交易調(diào)查 8月14日 據(jù)外媒報道，針對美國電子設計自動化軟件供應商Synopsys（新思科技）此前宣布以350億美元收購工程模擬和3D設計軟件公司Ansys的交易，英國競爭與市場管理局(CMA)日前已展開調(diào)查。 作為英國競爭監(jiān)管機構(gòu)，CMA正在考慮該交易是否會根據(jù)《2002年企業(yè)法》的合并條款造成相關合并的情況，即這筆擬議的交易是否會導致英國任何服務或商品市場的競爭大幅減少。 為了幫助評估，CMA正在征求有關各方對此次擬議收購交易的意見。提交意見的最后日期將由英國反壟斷監(jiān)管機構(gòu)確認。第一階段決定和啟動合并調(diào)查的截止日期尚未得到反壟斷監(jiān)管機構(gòu)的確認。 發(fā)表于：8/14/2024 SK海力士將轉(zhuǎn)向4F2結(jié)構(gòu)的3D DRAM 為降低EUV光刻成本，SK海力士將轉(zhuǎn)向“4F2”結(jié)構(gòu)的3D DRAM 發(fā)表于：8/14/2024 SK海力士DDR5被曝漲價15~20% 8 月 13 日消息，華爾街見聞報道稱，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價 15%-20%。供應鏈人士稱，海力士 DDR5 漲價主要是因為 HBM3/3E 產(chǎn)能擠占。 今年 6 月就有消息稱 DDR5 價格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能，這表明價格已經(jīng)不太可能下降；再加上下半年是傳統(tǒng)旺季，預計價格會有所上漲。 發(fā)表于：8/14/2024 HBM帶動三大內(nèi)存原廠均躋身2024Q1半導體IDM企業(yè)營收前四 8 月 13 日消息，據(jù) IDC 北京時間本月 7 日報告，三大內(nèi)存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導體 IDM（注：整合組件制造）企業(yè)營收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾。 發(fā)表于：8/14/2024 把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來半導體制造的最大創(chuàng)新 把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來半導體制造的最大創(chuàng)新 發(fā)表于：8/13/2024 傳臺積電將在高雄建設1.4nm晶圓廠 因應全球芯片訂單及AI快速發(fā)展，臺積電持續(xù)尋覓可用廠區(qū)土地，將最先進制程技術留在臺灣發(fā)展。高雄楠梓園區(qū)除3座2納米技術晶圓廠外，還有基地可容納2納米以下技術設廠需求。據(jù)悉，高雄市府已超前部署，鎖定A14（14埃米）制程，盤點次世代先進技術生產(chǎn)土地及水電供給，作為臺積電堅強后盾。 針對臺積電將于高雄擴大埃米制程布局，公司低調(diào)表示不回應市場傳言。 發(fā)表于：8/13/2024 消息稱三星電子確認平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線投資 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內(nèi)部已確認在平澤 P4 工廠建設 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計劃，該產(chǎn)線目標明年 6 月投入運營。 平澤 P4 是一座綜合性半導體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產(chǎn)設備，但擱置了二期建設。 而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式發(fā)布。韓媒在報道中稱，三星電子計劃在今年底啟動 1c nm 內(nèi)存生產(chǎn)。 發(fā)表于：8/13/2024 美光加碼投資臺灣建立第二研發(fā)中心 美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra今年7月訪問中國臺灣，將帶來更進一步合作，例如在人工智能（AI）應用扮演重要角色的高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)悉，美光將加碼在中國臺灣投資，除制造HBM先進制程外，不排除有機會在中國臺灣創(chuàng)建第二個研發(fā)中心。 發(fā)表于：8/13/2024 日本研究團隊提出EUV光刻新方案 日本提出EUV光刻新方案：光源功率可降低10倍，成本將大幅降低！ 發(fā)表于：8/13/2024 夏普考慮將半導體和相機模組事業(yè)出售給鴻海 8 月 12 日消息，夏普于 8 月 9 日宣布，正在考慮在本財年內(nèi)將半導體業(yè)務和智能手機用相機模組業(yè)務出售給鴻海。對于出售金額，夏普社長沖津雅浩稱由于談判剛剛開始，更多細節(jié)目前不便透露。 發(fā)表于：8/13/2024 美國芯片法案簽署兩周年記 美國芯片法案簽署兩周年：已吸引3950億美元投資，創(chuàng)造115000個工作崗位！ 發(fā)表于：8/13/2024 ?…74757677787980818283…?
