消費電子最新文章 SK 海力士與臺積電建立AI芯片聯盟 SK 海力士與臺積電建立 AI 芯片聯盟 合作開發 HBM4 發表于：2/8/2024 韓國半導體產品今年出口額預計低于1000億美元 在價格上漲、人工智能領域需求增加、主要廠商新推出智能手機大量出貨的推動下，全球半導體市場的狀況近幾個月在好轉，韓國半導體產品的出口額在 11 月份也時隔 15 個月再次同比上漲。 發表于：2/6/2024 2nm半導體大戰打響！三星2nm時間表公布 據媒體報道，三星計劃明年在韓國開始2nm工藝的制造，并且在2047年之前，三星將在韓國投資500萬億韓元，建立一個巨型半導體工廠，將進行2nm制造。 據悉，2nm工藝被視為下一代半導體制程的關鍵性突破，它能夠為芯片提供更高的性能和更低的功耗。 作為三星最大的競爭對手，臺積電在去年研討會上就披露了2nm芯片的早期細節，臺積電的2nm芯片將采用N2平臺，引入GAAFET納米片晶體管架構和背部供電技術。 發表于：2/5/2024 英偉達對華特供 H20 AI 芯片已可接受預訂 據界面新聞記者援引多位經銷商消息，英偉達對華“特供版”AI 芯片 H20 的終端產品已可接受預訂，產品形態包括計算卡和搭載 8 張 H20 計算卡的服務器。 有經銷商稱搭載 8 張 H20 計算卡的服務器拿貨價格超過 150 萬元，不少經銷商認為這一價格有點“虛高”，因此還未決定是否進貨。 另有經銷商透露，H20 計算卡價格并非固定，會在一定范圍內有所浮動，目前英偉達傾向于出售服務器整機系統。 發表于：2/5/2024 3nm爭奪戰：傳三星良率0% 臺積電卻已大賺211億 據韓媒報道，三星 3nm 工藝存在重大問題，試產芯片均存在缺陷，良品率 0%。報道還指出，由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質量測試，導致后續 Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產。 當三星的 3nm 工藝還被困于良率難自解時，臺積電的 3nm 工藝已經可以養家了。臺積電方面表示，2023 年第四季度的營收得益于 3nm 工藝產量的持續強勁增長。 在 3nm 先進制程工藝上，三星暫時做不到遙遙領先。 發表于：2/5/2024 長鑫存儲準備自己造HBM內存 據媒體報道，中國領先的存儲企業長鑫存儲 ( CXMT ) 已經開始準備必要設備，計劃制造自己的 HBM 高帶寬內存，以滿足迫切的 AI、HPC 應用需求。 發表于：2/5/2024 華為公開“半導體裝置以及半導體裝置的制作方法”專利 華為公開“半導體裝置以及半導體裝置的制作方法”專利 發表于：2/5/2024 SK海力士宣布2026年量產HBM4 據媒體報道，SK海力士表示，生成式AI市場預計將以每年35%的速度增長，而SK海力士有望在2026年大規模生產下一代HBM4。 據了解，HBM類產品前后經過了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的開發，其中HBM3E是HBM3的擴展（Extended）版本，而HBM4將是第六代產品。 發表于：2/5/2024 聯發科將以更實惠的價格為三星提供芯片 傳聞聯發科將以更實惠的價格為三星提供芯片，但旗艦系列不大可能采用天璣9400 發表于：2/5/2024 美國ITC終止對移動電話等產品337調查 摩托羅拉移動、聯想涉案 美國ITC終止對移動電話等產品337調查 發表于：2/5/2024 史上首個100%開源大模型重磅登場 史上首個 100% 開源大模型重磅登場：破紀錄公開代碼 / 權重 / 數據集 / 訓練全過程，AMD 都能訓 艾倫人工智能研究所等 5 機構最近公布了史上最全的開源模型「OLMo」，公開了模型的模型權重、完整訓練代碼、數據集和訓練過程，為以后開源社區的工作設立了新的標桿。 發表于：2/4/2024 谷歌推出AI擴散模型Lumiere 谷歌推出AI擴散模型Lumiere，可通過文字生成連貫動作視頻 谷歌研究院推出了一款名為Lumiere的“文生視頻”擴散模型，主打采用自家最新開發的“Space-Time U-Net”基礎架構，號稱能夠一次生成“完整、真實、動作連貫”的視頻。這是一種新的生成式AI工具,可幫助您通過基于文本的命令創建更逼真的圖像和視頻。 發表于：2/4/2024 1c納米內存競爭：三星計劃增加EUV使用，美光將引入鉬、釕材料 根據韓媒 The Elec 的報道，DRAM 內存巨頭三星和美光均將在下一個內存世代，也就是 1c nm 工藝引入更多新技術。 IT 之家注：1c nm 世代即第六個 10+ nm 世代，美光也稱之為 1 γ nm 工藝。目前最先進的內存為 1b nm 世代，三星稱其 1b nm 為 12nm 級工藝。 分析機構 TechInsights 高級副總裁 Choi Jeong-dong 在近日的一場研討會上表示，美光將在 1c nm 節點率先引入鉬（Mo，讀音 m ù）和釕（Ru，讀音 li ǎ o）。這兩種金屬將作為布線材料，被用于內存的字線和位線中。 鉬和釕的電阻相較于現在應用的鎢（W）更低，可進一步壓縮 DRAM 線寬。不過釕也存在自身的問題：其在工藝中會反應生成有毒的四氧化釕（RuO4），為維護工作帶來新的麻煩。Choi Jeong-dong 認為，三星和 SK 海力士將稍晚一至兩個世代引入這兩種金屬。 發表于：2/4/2024 三星 3nm GAA 工藝試產失敗 根據韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產工藝存在問題，嘗試生產適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。 發表于：2/4/2024 Meta第二代自研AI芯投產 Meta第二代自研AI芯投產，擺脫英偉達依賴！為買H100小扎狂砸數百億美元 發表于：2/4/2024 ?…102103104105106107108109110111…?
