基于K9K8G08UOI的高速大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
在測(cè)量技術(shù)中，高速數(shù)字?jǐn)z像機(jī)所拍攝到的大量數(shù)字圖像需要高速、大容量的圖像存儲(chǔ)設(shè)備來實(shí)時(shí)快速地存儲(chǔ)。用傳統(tǒng)的磁帶方式來記錄數(shù)據(jù)，其效率和安全性不高；靜態(tài)存儲(chǔ)器讀寫方便，但是存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)會(huì)因斷電而丟失，所以不利于數(shù)據(jù)的長(zhǎng)時(shí)間保存。而近幾年問世的閃存以其存儲(chǔ)容量大、體積小、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，逐步向存儲(chǔ)系統(tǒng)進(jìn)軍。
1 設(shè)計(jì)原理
設(shè)計(jì)中相機(jī)輸出LVDS串行數(shù)據(jù)通過接收電平轉(zhuǎn)換和串并轉(zhuǎn)換" title="串并轉(zhuǎn)換">串并轉(zhuǎn)換后得到10路×8 bit的并行數(shù)據(jù)流，其數(shù)據(jù)流速率最大為66 MHz。之后根據(jù)相機(jī)MC1311的性能指標(biāo)可計(jì)算出Camera Link高速接口與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)" title="數(shù)據(jù)存儲(chǔ)">數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的存儲(chǔ)容量要求與存儲(chǔ)速度要求，即：?jiǎn)螏瑪?shù)據(jù)量為1280×1024×8 bit；每秒最大數(shù)據(jù)量為500×1280×1024×8 bit；Camera Link高速接口單路數(shù)據(jù)速率為65.536 MByte，如果需要連續(xù)存儲(chǔ)60秒的視頻數(shù)據(jù)" title="視頻數(shù)據(jù)">視頻數(shù)據(jù)，則需要40 G Byte存儲(chǔ)器容量。100 GByte的存儲(chǔ)容量最多大約可存儲(chǔ)2.5分鐘視頻數(shù)據(jù)。圖1為系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。
2 核心器件選擇
設(shè)計(jì)中的存儲(chǔ)芯片采用SAMSUNG公司的NAND FLASH芯片K9 K8G08UOI，它的外部接口最高速度為40 MHz，接口寬度8位。每個(gè)芯片有8192塊，每塊有64頁，每頁大小為(2K+64)Bytes，其中64 Bytes為空閑區(qū)，存儲(chǔ)容量為8Gbit。它以頁為單位進(jìn)行讀寫，以塊為單位進(jìn)行擦除。控制核心FPGA采用ALTERA公司STRATIXⅡ系列的EP2S30F672I4，它有著豐富的觸發(fā)器和LUT，非常適合復(fù)雜時(shí)序邏輯的設(shè)計(jì)，具有1.3Mbit的內(nèi)置存儲(chǔ)RAM，可以緩存一定量的數(shù)據(jù)。
3 系統(tǒng)設(shè)計(jì)
NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)采用頁編程方式寫入，K9K8G08UOI的頁寫入時(shí)序如圖2所示。
根據(jù)圖2的時(shí)序可以估算出單片K9K8G08UOI的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)速率，其中tWC最小為25 ns，tADL為75ns，tWB為100 ns，tPROG為200μs。因此，寫入一頁所需時(shí)間大約為：200μs+100 ns+(2048+64) ×25ns+75 ns=252.975μs，由于一頁數(shù)據(jù)為(2K+64)B，所以單片K9K8G08UOI每Byte的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)速率為：1／(252.975μs／(2048+64)B)=8.4152 MHz。可見單片K9K8G08UOI的寫入速度不能滿足Camera，Link的接口要求，故需用多片進(jìn)行數(shù)據(jù)位擴(kuò)展。為了解決NAND Hash存取數(shù)據(jù)速度較慢向題，可將相鄰10個(gè)8 bit視頻數(shù)據(jù)在FPGA內(nèi)展寬為80 bit進(jìn)行存取。而NAND Flash每Byte的存儲(chǔ)速率要求可降為6.6 MHz，故可滿足單片K9K8G08UOI的存儲(chǔ)速度要求。系統(tǒng)中每10片K9K8G08UOI組成一個(gè)1 G×80 bit的Flash模塊，共10個(gè)Flash模塊。每個(gè)Hash模塊共用一套控制線，數(shù)據(jù)線分別與FPGA相連。單Flash模塊的組成原理如圖3所示。
電路中Flash1～10的連接一致，即數(shù)據(jù)總線獨(dú)立連接到FPGA共用控制總線(帶驅(qū)動(dòng))。由圖3可見，若需要進(jìn)一步降低單片F(xiàn)lash存儲(chǔ)速率，可進(jìn)一步擴(kuò)展Flash存儲(chǔ)器芯片數(shù)量。由于單片F(xiàn)PGA的I／O數(shù)有限，可將10個(gè)Flash模塊安排到5塊擴(kuò)展存儲(chǔ)器板上，分別對(duì)應(yīng)Camera Link串并轉(zhuǎn)換得到的一路數(shù)據(jù)(66 MHz×8 bit)。每個(gè)存儲(chǔ)器板與1片F(xiàn)PGA和2個(gè)Flash模塊相連后再分別與控制電路板上的FPGA相連來進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。其中的5塊擴(kuò)展存儲(chǔ)器板采用相同結(jié)構(gòu)。
4 FPGA邏輯設(shè)計(jì)
FLASH的基本操作分為兩個(gè)階段：加載" title="加載">加載時(shí)間和編程時(shí)間，寫入的時(shí)間瓶頸并不在加載時(shí)間，而是FLASH的編程時(shí)間。為了解決高速數(shù)據(jù)與低速FLASH之間的矛盾，可采用數(shù)據(jù)流串并轉(zhuǎn)換、多個(gè)模塊并行處理的方法。可在FPGA內(nèi)部構(gòu)建10個(gè)雙口" title="雙口">雙口RAM用來緩存數(shù)據(jù)，每個(gè)雙口RAM對(duì)應(yīng)一個(gè)FLASH，相機(jī)過來的數(shù)據(jù)先緩存到RAM里，然后再寫到FLASH。數(shù)據(jù)寫到RAM可采用流水操作，數(shù)據(jù)寫滿第一個(gè)雙口RAM，接著寫第二個(gè)RAM，依次進(jìn)行，當(dāng)寫滿第十個(gè)RAM時(shí)，將十個(gè)RAM緩存的數(shù)據(jù)寫到對(duì)應(yīng)的FLASH里。FLASH操作按最高速度40MB進(jìn)行，加載時(shí)間為51.2μs，之后進(jìn)入編程時(shí)間，再來的數(shù)據(jù)繼續(xù)緩存在第一個(gè)RAM里。相機(jī)的時(shí)鐘是66 MHz，每個(gè)RAM的深度為2048 Bytes，那么寫10個(gè)RAM的時(shí)間是310μs，即FALSH編程時(shí)間可以達(dá)到310-51.2=258.8μs，可以滿足FLASH的典型編程時(shí)間200μs。其FLASH流水操作見圖4。
5 FLASH壞區(qū)管理
對(duì)FLASH的壞區(qū)實(shí)行動(dòng)態(tài)管理，在每個(gè)存儲(chǔ)電路板的FPGA內(nèi)開辟1 K×8 bit的壞區(qū)地址存儲(chǔ)。所有存儲(chǔ)電路板的壞區(qū)地址一致。在FLASH進(jìn)行寫操作前比對(duì)當(dāng)前區(qū)是否為壞區(qū)，如果是壞區(qū)則跳過此區(qū)進(jìn)入下一區(qū)。
可采用寫入特定數(shù)后讀出校驗(yàn)的方式來檢測(cè)壞區(qū)。存儲(chǔ)電路板根據(jù)命令全區(qū)寫入8 bit數(shù)據(jù)。寫入時(shí)序按系統(tǒng)設(shè)計(jì)的最高速率進(jìn)行。然后將它們順序讀出并進(jìn)行校驗(yàn)，如果出現(xiàn)數(shù)據(jù)錯(cuò)誤則登記該壓為壞區(qū)。圖5為壞區(qū)檢測(cè)管理的工作流程。
6 結(jié)束語
本文采用多級(jí)流水線與并行處理相結(jié)合的方式，同時(shí)利用FPGA內(nèi)部的緩存來使多個(gè)FLASH存儲(chǔ)器并行工作，從而極大地提高了存儲(chǔ)速率。100片F(xiàn)LASH存儲(chǔ)器同時(shí)工作可滿足660 MB／S的速度要求。經(jīng)過測(cè)試，本系統(tǒng)可以可靠地存儲(chǔ)數(shù)字圖像，并可屏蔽壞區(qū)。
基于K9K8G08UOI的高速大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
在測(cè)量技術(shù)中，高速數(shù)字?jǐn)z像機(jī)所拍攝到的大量數(shù)字圖像需要高速、大容量的圖像存儲(chǔ)設(shè)備來實(shí)時(shí)快速地存儲(chǔ)。用傳統(tǒng)的磁帶方式來記錄數(shù)據(jù)，其效率和安全性不高；靜態(tài)存儲(chǔ)器讀寫方便，但是存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)會(huì)因斷電而丟失，所以不利于數(shù)據(jù)的長(zhǎng)時(shí)間保存。而近幾年問世的閃存以其存儲(chǔ)容量大、體積小、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，逐步向存儲(chǔ)系統(tǒng)進(jìn)軍。
1 設(shè)計(jì)原理
設(shè)計(jì)中相機(jī)輸出LVDS串行數(shù)據(jù)通過接收電平轉(zhuǎn)換和串并轉(zhuǎn)換后得到10路×8 bit的并行數(shù)據(jù)流，其數(shù)據(jù)流速率最大為66 MHz。之后根據(jù)相機(jī)MC1311的性能指標(biāo)可計(jì)算出Camera Link高速接口與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的存儲(chǔ)容量要求與存儲(chǔ)速度要求，即：?jiǎn)螏瑪?shù)據(jù)量為1280×1024×8 bit；每秒最大數(shù)據(jù)量為500×1280×1024×8 bit；Camera Link高速接口單路數(shù)據(jù)速率為65.536 MByte，如果需要連續(xù)存儲(chǔ)60秒的視頻數(shù)據(jù)，則需要40 G Byte存儲(chǔ)器容量。100 GByte的存儲(chǔ)容量最多大約可存儲(chǔ)2.5分鐘視頻數(shù)據(jù)。圖1為系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。
2 核心器件選擇
設(shè)計(jì)中的存儲(chǔ)芯片采用SAMSUNG公司的NAND FLASH芯片K9 K8G08UOI，它的外部接口最高速度為40 MHz，接口寬度8位。每個(gè)芯片有8192塊，每塊有64頁，每頁大小為(2K+64)Bytes，其中64 Bytes為空閑區(qū)，存儲(chǔ)容量為8Gbit。它以頁為單位進(jìn)行讀寫，以塊為單位進(jìn)行擦除。控制核心FPGA采用ALTERA公司STRATIXⅡ系列的EP2S30F672I4，它有著豐富的觸發(fā)器和LUT，非常適合復(fù)雜時(shí)序邏輯的設(shè)計(jì)，具有1.3Mbit的內(nèi)置存儲(chǔ)RAM，可以緩存一定量的數(shù)據(jù)。
3 系統(tǒng)設(shè)計(jì)
NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)采用頁編程方式寫入，K9K8G08UOI的頁寫入時(shí)序如圖2所示。
根據(jù)圖2的時(shí)序可以估算出單片K9K8G08UOI的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)速率，其中tWC最小為25 ns，tADL為75ns，tWB為100 ns，tPROG為200μs。因此，寫入一頁所需時(shí)間大約為：200μs+100 ns+(2048+64) ×25ns+75 ns=252.975μs，由于一頁數(shù)據(jù)為(2K+64)B，所以單片K9K8G08UOI每Byte的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)速率為：1／(252.975μs／(2048+64)B)=8.4152 MHz。可見單片K9K8G08UOI的寫入速度不能滿足Camera，Link的接口要求，故需用多片進(jìn)行數(shù)據(jù)位擴(kuò)展。為了解決NAND Hash存取數(shù)據(jù)速度較慢向題，可將相鄰10個(gè)8 bit視頻數(shù)據(jù)在FPGA內(nèi)展寬為80 bit進(jìn)行存取。而NAND Flash每Byte的存儲(chǔ)速率要求可降為6.6 MHz，故可滿足單片K9K8G08UOI的存儲(chǔ)速度要求。系統(tǒng)中每10片K9K8G08UOI組成一個(gè)1 G×80 bit的Flash模塊，共10個(gè)Flash模塊。每個(gè)Hash模塊共用一套控制線，數(shù)據(jù)線分別與FPGA相連。單Flash模塊的組成原理如圖3所示。
電路中Flash1～10的連接一致，即數(shù)據(jù)總線獨(dú)立連接到FPGA共用控制總線(帶驅(qū)動(dòng))。由圖3可見，若需要進(jìn)一步降低單片F(xiàn)lash存儲(chǔ)速率，可進(jìn)一步擴(kuò)展Flash存儲(chǔ)器芯片數(shù)量。由于單片F(xiàn)PGA的I／O數(shù)有限，可將10個(gè)Flash模塊安排到5塊擴(kuò)展存儲(chǔ)器板上，分別對(duì)應(yīng)Camera Link串并轉(zhuǎn)換得到的一路數(shù)據(jù)(66 MHz×8 bit)。每個(gè)存儲(chǔ)器板與1片F(xiàn)PGA和2個(gè)Flash模塊相連后再分別與控制電路板上的FPGA相連來進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。其中的5塊擴(kuò)展存儲(chǔ)器板采用相同結(jié)構(gòu)。
4 FPGA邏輯設(shè)計(jì)
FLASH的基本操作分為兩個(gè)階段：加載時(shí)間和編程時(shí)間，寫入的時(shí)間瓶頸并不在加載時(shí)間，而是FLASH的編程時(shí)間。為了解決高速數(shù)據(jù)與低速FLASH之間的矛盾，可采用數(shù)據(jù)流串并轉(zhuǎn)換、多個(gè)模塊并行處理的方法。可在FPGA內(nèi)部構(gòu)建10個(gè)雙口RAM用來緩存數(shù)據(jù)，每個(gè)雙口RAM對(duì)應(yīng)一個(gè)FLASH，相機(jī)過來的數(shù)據(jù)先緩存到RAM里，然后再寫到FLASH。數(shù)據(jù)寫到RAM可采用流水操作，數(shù)據(jù)寫滿第一個(gè)雙口RAM，接著寫第二個(gè)RAM，依次進(jìn)行，當(dāng)寫滿第十個(gè)RAM時(shí)，將十個(gè)RAM緩存的數(shù)據(jù)寫到對(duì)應(yīng)的FLASH里。FLASH操作按最高速度40MB進(jìn)行，加載時(shí)間為51.2μs，之后進(jìn)入編程時(shí)間，再來的數(shù)據(jù)繼續(xù)緩存在第一個(gè)RAM里。相機(jī)的時(shí)鐘是66 MHz，每個(gè)RAM的深度為2048 Bytes，那么寫10個(gè)RAM的時(shí)間是310μs，即FALSH編程時(shí)間可以達(dá)到310-51.2=258.8μs，可以滿足FLASH的典型編程時(shí)間200μs。其FLASH流水操作見圖4。
5 FLASH壞區(qū)管理
對(duì)FLASH的壞區(qū)實(shí)行動(dòng)態(tài)管理，在每個(gè)存儲(chǔ)電路板的FPGA內(nèi)開辟1 K×8 bit的壞區(qū)地址存儲(chǔ)。所有存儲(chǔ)電路板的壞區(qū)地址一致。在FLASH進(jìn)行寫操作前比對(duì)當(dāng)前區(qū)是否為壞區(qū)，如果是壞區(qū)則跳過此區(qū)進(jìn)入下一區(qū)。
可采用寫入特定數(shù)后讀出校驗(yàn)的方式來檢測(cè)壞區(qū)。存儲(chǔ)電路板根據(jù)命令全區(qū)寫入8 bit數(shù)據(jù)。寫入時(shí)序按系統(tǒng)設(shè)計(jì)的最高速率進(jìn)行。然后將它們順序讀出并進(jìn)行校驗(yàn)，如果出現(xiàn)數(shù)據(jù)錯(cuò)誤則登記該壓為壞區(qū)。圖5為壞區(qū)檢測(cè)管理的工作流程。
6 結(jié)束語
本文采用多級(jí)流水線與并行處理相結(jié)合的方式，同時(shí)利用FPGA內(nèi)部的緩存來使多個(gè)FLASH存儲(chǔ)器并行工作，從而極大地提高了存儲(chǔ)速率。100片F(xiàn)LASH存儲(chǔ)器同時(shí)工作可滿足660 MB／S的速度要求。經(jīng)過測(cè)試，本系統(tǒng)可以可靠地存儲(chǔ)數(shù)字圖像，并可屏蔽壞區(qū)。