9月19日消息，據Tom's hardware報道，臺積電作為全球最大的先進制程晶圓代工廠，不僅擁有著全球最先進的制程工藝，也擁有著數量最多的ASML EUV光刻機。自2019年以來，臺積電通過自身的系統級優化及自研EUV光罩保護膜（Pellicle，保護光罩的薄膜）材料，EUV生產晶圓產量累計增加30倍，同時電力消耗也減少24%。
自2019年第二代7nm技術量產之時，臺積電就率先引入了ASML EUV光刻機進行量產，隨后臺積電持續控制著全球超過42%~56%的EUV光刻機裝機量，經過多年的積累，臺積電目前已經累積了約200多臺EUV光刻機，在2024~2025年還新增了60多臺，以支撐先進制程擴產需要。
臺積電核心優勢來自硬體設備及材料供應鏈掌控力，因此臺積電還持續投資制程工藝優化，包括曝光劑量微調、曝光材料改良及預測性維護，這也大幅提升每日機臺利用率與生產效率。
據Digitimes報道，臺積電甚至計劃改造一座200毫米工廠來專門生產自研EUV光罩保護膜，性能甚至超過了ASML原廠供應的EUV光罩保護膜，展現臺積電制程與材料整合實力。
設備業者指出，EUV光刻機相較傳統的深紫外（DUV）光刻機，光罩及保護膜等都須進一步調整，保護膜一直是半導體制程中防止塵粒污染的關鍵保護機制。
而且，進入EUV光刻時代后，過去廣泛使用的有機Pellicle，因無法兼具透光率與穩定性，已不再適用。目前EUV制程大多采用“無pellicle”的光罩，導致必須頻繁進行圖樣檢查。 一旦發現缺陷，不僅需修復或重制光罩，生產成本也大增并降低速度。因此，包括ASML等半導體業者近年也投入EUV光罩保護膜的研發，但由于技術難度高，尚未實現量產。
而臺積電研發EUV光罩保護膜已有多年，這主要是因為評估EUV光罩保護膜對于7nm以下制程生產效率與成本降低極為重要，因此近期決定正式加速自研計劃。
近期，臺積電宣布退出GaN市場，凸顯大陸GaN廠商的低價戰已對其造成極大競爭壓力，臺積電原有的6英寸GaN廠也將改建為先進封裝廠，暫以CoPoS為主。而最受關注的就是竹科8英寸晶圓廠大幅調整，其中，竹科Fab 3將有望正式投入臺積電自研EUV光罩保護膜的生產，以減少對ASML相關供應鏈的依賴。臺積電希望以自身研發與生產能力，全面提升EUV先進制程良率，創造最低成本、最高效益的制程和產品。
數據顯示，臺積電EUV光罩保護膜壽命增加了4倍，單片晶圓生產效率提升了4.5倍，瑕疵品大幅降低。
熟悉半導體制程技術人士認為，相較于競爭對手仍高度依賴ASML的EUV光刻機和EUV光罩保護膜推進先進制程技術，臺積電自制EUV光罩保護膜，可將現有EUV制程再優化，拉升了生產良率與擴大產能，在成本結構上取得優勢，且提升獲利，進一步擴大與競爭對手的差距。
