納芯微正在推出涵蓋各種電源應用的器件，包括氮化鎵 (GaN) 驅動器、雙通道汽車驅動器和電池保護 MOSFET。
隨著各行各業的電源系統日益緊湊和復雜，工程師們不得不重新思考如何在高壓、汽車和電池供電設計中管理效率、控制和保護。氮化鎵技術有望實現更高的功率密度，汽車電子設備需要具有嚴格 EMC 限制的多電機控制，而鋰電池系統的能量和電流需求也在迅速增長。挑戰在于找到既能滿足這些需求，又不會增加電路設計的復雜性或降低可靠性的元器件。
納芯微針對這些快速發展的行業推出了三款專用解決方案。NSD2622N 是一款專為增強型 GaN 晶體管設計的半橋驅動器 IC。NSD3602-Q1 則針對多電機汽車車身應用的獨特需求，提供雙通道驅動和可配置的電流配置。對于鋰電池保護，全新NPM12017A CSP MOSFET 可在微小尺寸內提供穩健的低電阻性能。這些組件共同體現了公司對更高集成度、更佳保護和更大設計靈活性的追求。
NSD2622N：一款兼具速度、穩定性和簡化電源設計的 GaN 驅動器
讓增強型 GaN 器件實現干凈的開關并非易事。由于它們在低柵極電壓下開啟，有時僅為 1 伏左右，因此無需過多的噪聲或串擾即可引起不必要的開關，尤其是在處理高電壓和快速邊沿時。大多數傳統的驅動器設置依賴于外部電路的拼湊來產生合適的柵極電壓，但這些電路可能會引入寄生電感，并經常導致不可靠的關斷行為。
納芯微 的 NSD2622N 采用了更集成的方法。該器件將正負柵極偏置電壓直接嵌入芯片內部，提供 5 V 至 6.5 V 的純凈開啟電壓和 -2.5 V 的穩定關斷電壓，無需外部穩壓器。這使得器件能夠更輕松地在溫度波動、啟動瞬態和長關斷周期內保持穩定運行。
NSD2622N 支持自舉電源，開關節點范圍為 ±700 V，dv/dt 抗擾度為 200 V/ns，專為高頻硬開關而設計。每個輸出可提供高達 2 A 的峰值拉電流和 4 A 的峰值灌電流，并內置欠壓鎖定和熱保護功能。該驅動器能夠簡化電路板布局，提高穩健性，并降低基于 GaN 的系統（例如數據中心電源、電動汽車車載充電器和太陽能逆變器）的物料清單成本。
NSD3602-Q1：適用于多電機設計的雙通道半橋驅動器
從電動座椅到后尾門，汽車車身系統正日益模塊化，電機數量也日益增多。在狹小空間內管理多個電機或電磁閥，同時還要保持電磁兼容性 (EMC)，這無疑是一個令人頭疼的設計難題。系統必須在精確控制、保護、故障檢測和節省空間的集成之間取得平衡。
納芯微 的 NSD3602-Q1 正是考慮到這種復雜性而設計的。它將兩個半橋柵極驅動器集成到單個 IC 中，并包含一個可配置的充放電電流分布驅動器 (CCPD)。此功能使工程師能夠微調三個階段的電流驅動波形，從而降低 EMI，并無需使用外部柵極電阻或緩沖器元件。
該 IC 還包含一個可編程電流檢測放大器，可通過 SPI 或硬件 I/O 提供全面的診斷反饋，以及欠壓、過壓、過溫和開路負載檢測等保護功能。它支持高達 40 V 的負載突降，工作溫度范圍為 -40°C 至 150°C。NSD3602-Q1 專為 12 V 電池系統設計，可助力現代車輛中的分區控制器、座椅和車窗執行器以及其他分布式負載系統。
NPM12017A：鋰電池保護MOSFET
便攜式設備對更快的充電速度和更高的功率的需求不斷增長，這給鋰電池保護電路帶來了更大的壓力。晶圓級芯片級封裝 (CSP) 中的緊湊型 MOSFET 通常受到機械脆弱性和熱性能的限制。NPM12017A 旨在通過電氣性能和堅固性來彌補這一缺陷。
NPM12017A在多個關鍵領域超越了其前代產品。它可將導通電阻降低約 26%，有助于減少充放電過程中的功率損耗，隨著快速充電電流的不斷攀升，這一因素變得越來越重要。此外，它在負載下運行溫度更低，在電氣應力下也能保持更佳狀態。該器件現在可以處理高達 400 A 的短路情況，并且其雪崩能量耐受能力更高，高達 50 A，使其能夠更穩定地應對嚴苛的電池保護應用。
NPM12017A 經過重新設計，強度更高，采用橫向導流電流，從而提升耐用性，并簡化基于 CSP 的電池保護設計的直接升級。
為了應對 CSP 封裝的物理限制，例如受壓下開裂或翹曲，納芯微重新設計了內部布局，使電流流過芯片表面，而不是垂直穿過。這一改進將機械強度提升至 60 牛頓 (N) 以上，并且無需減薄硅片，而減薄硅片通常會導致組裝過程中出現可靠性問題。NPM12017A 還保持了與上一代產品的引腳兼容性，使制造商能夠更輕松地進行升級，而無需重新設計電路板。
從高壓GaN開關到緊湊型汽車控制和超高密度電池保護，納芯微的最新產品系列體現了更智能、更集成的電源解決方案的廣泛趨勢。憑借內置調節器、先進的驅動控制和增強的耐用性，這些設備可幫助工程師簡化復雜系統，同時又不犧牲性能或可靠性。
