6 月 14 日消息，“上杭融媒”本周一發文稱，上杭縣福建晶旭半導體科技有限公司二期項目 —— 基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產項目整體建筑已經基本完成，正處于收尾狀態。
項目建設負責人章加表示，晶旭二期項目建設土建部分以及主體的全部的一個封頂工程已經完成了，現在開始做雨污管網和路面的建設，預計在九月份的時候可以完成初步的試產動作。
查詢官方資料獲悉，該項目總投資 16.8 億元，建設 136 畝工業廠區，將建成全球首條超寬禁帶半導體高頻濾波芯片生產線，建成后將能夠填補國內在氧化鎵壓電薄膜新材料領域的空白。
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