3月24日消息，據(jù)報(bào)道，九峰山實(shí)驗(yàn)室科研團(tuán)隊(duì)近日取得重大突破，成功在全球范圍內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)了8英寸硅基氮極性氮化鎵（N-polar GaNOI）高電子遷移率材料的制備。

這一里程碑式的成果不僅打破了國(guó)際技術(shù)壟斷，更為射頻前端等系統(tǒng)級(jí)芯片在頻率、效率、集成度等方面的提升提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支持，將推動(dòng)下一代通信、自動(dòng)駕駛、雷達(dá)探測(cè)、微波能量傳輸?shù)惹把丶夹g(shù)的快速發(fā)展。

氮化鎵晶體結(jié)構(gòu)的極性方向?qū)ζ骷阅芎蛻?yīng)用具有決定性影響，主要分為氮極性氮化鎵和鎵極性氮化鎵兩種極化類(lèi)型。

研究表明，在高頻、高功率器件領(lǐng)域，氮極性氮化鎵相較于傳統(tǒng)的鎵極性氮化鎵展現(xiàn)出顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。然而，由于材料生長(zhǎng)條件嚴(yán)苛、工藝復(fù)雜等瓶頸，目前全球僅有少數(shù)機(jī)構(gòu)能夠小批量生產(chǎn)2-4英寸氮極性氮化鎵高電子遷移率襯底材料，且成本高昂，限制了其大規(guī)模應(yīng)用。

九峰山實(shí)驗(yàn)室的突破性成果主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：首先，通過(guò)采用硅基襯底，該技術(shù)兼容8英寸主流半導(dǎo)體產(chǎn)線設(shè)備，并深度集成硅基CMOS工藝，顯著降低了生產(chǎn)成本，同時(shí)為大規(guī)模量產(chǎn)提供了便利條件；其次，材料性能得到顯著提升，兼具高電子遷移率和優(yōu)異的可靠性；最后，鍵合界面良率超過(guò)99%，為大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

氮極性氮化鎵材料在高頻段（如毫米波頻段）表現(xiàn)出色，特別適用于5G/6G通信、衛(wèi)星通信、雷達(dá)系統(tǒng)等高頻操作領(lǐng)域。隨著這一技術(shù)的成熟和推廣，未來(lái)有望在多個(gè)高科技領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用，推動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的升級(jí)與革新。