今日，中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）宣布其等離子體刻蝕設備反應總臺數(shù)全球累計出貨超過5000臺。這包括CCP高能等離子體刻蝕機和ICP低能等離子體刻蝕機、單反應臺反應器和雙反應臺反應器共四種構(gòu)型的設備。等離子體刻蝕機，是光刻機之外，最關(guān)鍵的、也是市場最大的微觀加工設備。由于微觀器件越做越小和光刻機的波長限制，也由于微觀器件從二維到三維發(fā)展，刻蝕機是半導體設備過去十年增長最快的市場。這一重要里程碑標志著中微公司在等離子體刻蝕設備領(lǐng)域持續(xù)得到客戶與市場的廣泛認可，也彰顯了公司在等離子體刻蝕領(lǐng)域已進入國際前列。 

中微公司不斷拓展等離子體刻蝕設備產(chǎn)品線，以滿足先進的芯片器件制造日益嚴苛的技術(shù)需求，早在2004年，首創(chuàng)了“甚高頻去耦合反應離子刻蝕的技術(shù)（D-RIE, Decoupled Reactive Ion Etching）。中微公司也獨創(chuàng)了有專利保護的雙反應臺刻蝕反應器，既可以單臺獨立操作，也可以雙臺同時操作的、輸出量高、加工成本低的獨特機型。中微公司的刻蝕設備在過去的20年積累了大量的芯片生產(chǎn)線量產(chǎn)數(shù)據(jù)和客戶驗證數(shù)據(jù)，已經(jīng)可以覆蓋絕大多數(shù)的刻蝕應用，包括各種高端的應用。特別是CCP和ICP的雙臺機，反復論證了雙反應臺之間刻蝕的線寬差別，１Sigma已達到０.５納米以下，刻蝕速度已可以精準到0.1到0.2納米水平，相當于頭發(fā)絲直徑約三十萬分之一。中微公司的刻蝕機已在5納米及更先進的微觀器件生產(chǎn)線上大量應用。

中微公司的等離子體刻蝕設備不斷擴大市場占有率，公司的CCP高能等離子刻蝕設備和ICP低能等離子體刻蝕設備的出貨量近年來都保持高速增長。CCP設備在線累計裝機量近四年年均增長大于37%，已突破4000個反應臺；ICP設備在線累計裝機量近四年年均增長大于100%，已突破1000個反應臺。截至2025年2月底，公司累計已有超過5400個反應臺在國內(nèi)外130多條生產(chǎn)線，全面實現(xiàn)了量產(chǎn)和大規(guī)模重復性銷售，贏得了眾多客戶和供應廠商的信任和支持。

據(jù)業(yè)績快報顯示，中微公司2024年營業(yè)收入約90.65億元，較2023年增加約28.02億元。公司在過去13年保持營業(yè)收入年均增長大于35%，近四年營業(yè)收入年均增長大于40%的基礎(chǔ)上，2024年營業(yè)收入又同比增長約44.73%。其中，刻蝕設備收入約72.77億元，在最近四年收入年均增長超過50%的基礎(chǔ)上，2024年又同比增長約54.73%。

根據(jù)市場及客戶需求，公司顯著加大研發(fā)力度，2024年在研項目涵蓋六類設備，超二十款新設備的開發(fā)。公司開發(fā)的一系列設備已在性能上達到國際先進水平，部分產(chǎn)品在其細分領(lǐng)域全球領(lǐng)先。公司為先進存儲器件和邏輯器件開發(fā)的六種LPCVD薄膜設備已經(jīng)順利進入市場。其中，在進入市場后只一年，存儲器生產(chǎn)線所用的LPCVD設備出貨量已突破100多個反應臺，2024年得到約4.76億元批量訂單。公司研發(fā)新產(chǎn)品的速度顯著加快，過去通常需要三到五年開發(fā)一款新設備，現(xiàn)在只需兩年或更短時間就能開發(fā)出有競爭力的新設備，并順利進入市場。中微公司綜合競爭優(yōu)勢不斷增強，聚焦提高勞動生產(chǎn)率，在2022年達到人均銷售350萬元的基礎(chǔ)上，2024年人均銷售超過了400萬元，各項營運指標已達到國際先進半導體設備企業(yè)水平。

未來，中微公司將緊跟先進制程工藝發(fā)展的最前沿，繼續(xù)加大研發(fā)投入，在產(chǎn)品設計、開發(fā)和制造過程中，始終強調(diào)技術(shù)的創(chuàng)新、產(chǎn)品的差異化和知識產(chǎn)權(quán)的保護，不斷開發(fā)更多的高端設備產(chǎn)品，堅持三維立體發(fā)展戰(zhàn)略，通過有機成長和外延擴展，踐行科創(chuàng)企業(yè)的“五個十大“，即”產(chǎn)品開發(fā)十大原則“，”戰(zhàn)略銷售十大準則“，”營運管理十大章法“，”精神文化十大作風“，”領(lǐng)導能力十大要點“，實現(xiàn)高速、穩(wěn)定、健康和安全的高質(zhì)量發(fā)展，盡早在規(guī)模和競爭力上成為國際一流的半導體設備公司！

 關(guān)于中微半導體設備（上海）股份有限公司

中微半導體設備（上海）股份有限公司致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領(lǐng)先的加工設備和工藝技術(shù)解決方案。中微公司開發(fā)的CCP高能等離子體和ICP低能等離子體刻蝕兩大類，包括十幾種細分刻蝕設備已可以覆蓋大多數(shù)刻蝕的應用。中微公司的等離子體刻蝕設備已被廣泛應用于國內(nèi)和國際一線客戶，涵蓋從65納米到5納米及更先進工藝的眾多刻蝕應用。中微公司最近十年著重開發(fā)多種導體和半導體化學薄膜設備，如MOCVD，LPCVD，ALD和EPI設備，并取得了可喜的進步。中微公司開發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產(chǎn)的MOCVD設備早已在客戶生產(chǎn)線上投入量產(chǎn)，并在全球氮化鎵基LED MOCVD設備市場占據(jù)領(lǐng)先地位。此外，中微公司也在布局光學和電子束量檢測設備，并開發(fā)多種泛半導體微觀加工設備。這些設備都是制造各種微觀器件的關(guān)鍵設備，可加工和檢測微米級和納米級的各種器件。這些微觀器件是現(xiàn)代數(shù)碼產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，它們正在改變?nèi)祟惖纳a(chǎn)方式和生活方式。在美國TechInsights（原VLSI Research）近五年的全球半導體設備客戶滿意度調(diào)查中，中微公司三次獲得總評分第三，薄膜設備三次被評為第一。