1月14日消息，據(jù)《臺北時報》報道，中國臺灣“經(jīng)濟(jì)部長”郭振華（J.W. Kuo）近日在新聞發(fā)布會上表示，臺積電現(xiàn)在被允許在其位于中國臺灣以外的晶圓廠中采用其即將推出的 2nm 級制程工藝技術(shù)制造芯片。

此前，臺積電一直被禁止在中國臺灣以外使用其最新的工藝技術(shù)制造芯片，該戰(zhàn)略旨在讓臺積電最先進(jìn)的制程工藝技術(shù)保留在中國臺灣。這些規(guī)則要求海外芯片生產(chǎn)至少比中國臺灣落后兩代。然而，中國臺灣政府現(xiàn)在已經(jīng)改變了立場，允許中國臺灣企業(yè)可以根據(jù)技術(shù)進(jìn)步和市場機(jī)會做出決定。

郭振華表示，“那些是古老的規(guī)則。時代變了，私營企業(yè)應(yīng)該根據(jù)自己的技術(shù)進(jìn)步做出自己的商業(yè)決策。基本原則是企業(yè)可以從他們的海外投資中獲利。臺積電正在美國建廠，旨在為美國客戶提供服務(wù)，因?yàn)槿?60% 的芯片設(shè)計公司都位于美國。”

根據(jù)已經(jīng)公布的計劃，臺積電將在美國亞利桑那州建設(shè)三座晶圓廠，包括一期的4nm晶圓廠，量產(chǎn)時間是2025年上半年；二期的3nm晶圓廠，原定于2026年開始量產(chǎn)，推遲到了2028年。兩座晶圓廠完工后，合計將年產(chǎn)超過60萬片晶圓，換算至終端產(chǎn)品市場價值預(yù)估超過400億美元。2024年4月宣布新增的三期晶圓廠將生產(chǎn)2nm或更先進(jìn)的制程技術(shù)，預(yù)計將在21世紀(jì)20年代底（2029～2030年）間量產(chǎn)。

這也使得臺積電在亞利桑那州的總體投資金額從原來的400億美元提升到650億美元，并有望創(chuàng)造超過25000個直接建筑和制造業(yè)就業(yè)機(jī)會，以及數(shù)千個間接就業(yè)機(jī)會。有助于實(shí)現(xiàn)美國到 2030 年生產(chǎn) 20% 全球最先進(jìn)邏輯芯片的目標(biāo)。對此，美國政府已宣布向臺積電提供高達(dá)66億美元的補(bǔ)貼資金和50億美元的低息貸款，用以支持臺積電在美國亞利桑那州晶圓廠的建設(shè)。

不過，由于之前中國臺灣政府的政策限制，臺積電2nm或更先進(jìn)技術(shù)出口到美國晶圓廠還需要中國臺灣政府的批準(zhǔn)。但是從郭振華最新的表態(tài)來看，相關(guān)的限制即將解除。這也意味著臺積電將可以在美國生產(chǎn)2nm或更先進(jìn)的制程工藝。

根據(jù)臺積電的規(guī)劃，2025 年至 2026 年，其在中國臺灣將至少擁有能夠量產(chǎn)2nm芯片的晶圓廠。而臺積電美國亞利桑那州的第三座晶圓廠可能要等到2030年才能生產(chǎn)其2nm家族（N2、N2P、N2X）甚至是1.6nm（A16）制程工藝。