據(jù)韓國(guó)媒體Business Korea報(bào)導(dǎo)，三星電子已于第四季度在平澤P2廠建立10nm級(jí)（1d）的第七代DRAM測(cè)試線。業(yè)界也將此測(cè)試線稱為“單路徑線”（one path），預(yù)期明年第一季度將完全建成。

報(bào)道稱，測(cè)試產(chǎn)線是測(cè)試新半導(dǎo)體產(chǎn)品量產(chǎn)潛質(zhì)的設(shè)施，一旦下一代芯片性能在研發(fā)階段時(shí)確定，就會(huì)在此引進(jìn)晶圓，開始提高量產(chǎn)良率。目前還不確定三星平澤10nm級(jí)第七代DRAM廠房的規(guī)模，但通常安裝測(cè)試產(chǎn)線每月可處理約1萬(wàn)片晶圓。

三星今年3月在美國(guó)舉行的“MemCon 2024”活動(dòng)中曾宣布，計(jì)劃在2026年前量產(chǎn)第七代DRAM，至于其前身第六代（1c）DRAM，計(jì)劃明年（2025年）量產(chǎn)。因此，這條第七代測(cè)試線與第六代DRAM量產(chǎn)的準(zhǔn)備工作同步進(jìn)行。

三星計(jì)劃明年初開始以平澤P4廠為中心引進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備，生產(chǎn)10nm級(jí)第六代DRAM，并加快良率提升的腳步，目標(biāo)是明年5月前取得內(nèi)部量產(chǎn)認(rèn)證（PRA）。此外，為了順利第六代DRAM量產(chǎn)，三星還將DRAM相關(guān)人員從華城廠調(diào)派至平澤廠。

也就是說(shuō)，三星在第六代DRAM還沒(méi)進(jìn)入量產(chǎn)階段前，就已經(jīng)開始為第七代DRAM建置廠房。外界認(rèn)為，三星此舉是為明年重奪優(yōu)勢(shì)而提前進(jìn)行投資。

做為全球DRAM制造龍頭大廠，三星這兩年遭遇很大的打擊，特別是在AI所需的HBM（高帶寬內(nèi)存）市場(chǎng)，SK海力士的市場(chǎng)份額大幅領(lǐng)先于三星。此外，在10nm級(jí)第六代DRAM的開發(fā)速度上，三星也落后于SK海力士。

對(duì)于三星來(lái)說(shuō)，如果要奪回領(lǐng)導(dǎo)地位，必須加快產(chǎn)品的開發(fā)速度，這從三星的新人事變動(dòng)可以窺見一斑。

三星電子副董事長(zhǎng)全永鉉（Jeon Young-hyun）從半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的設(shè)備解決方案（DS）負(fù)責(zé)人改為CEO，同時(shí)兼任內(nèi)存業(yè)務(wù)和三星綜合技術(shù)院（Samsung Advanced Institute of Technology，SAIT）負(fù)責(zé)人。他以強(qiáng)大驅(qū)動(dòng)力著稱，預(yù)期將大膽推動(dòng)三星技術(shù)開發(fā)和投資。

業(yè)界人士解釋，全永鉉現(xiàn)在可以更密切地參與三星DRAM技術(shù)，預(yù)計(jì)他會(huì)從主力產(chǎn)品DRAM開始強(qiáng)力創(chuàng)新。

三星電子也加速投資另一種內(nèi)存NAND閃存，最近該公司在平澤一廠安裝業(yè)界第一條400層NAND（V10）測(cè)試線，并在平澤四廠NAND廠房添置286層V9設(shè)備。