8 月 1 日消息，泛林集團(tuán) Lam Research 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。

泛林集團(tuán)全球產(chǎn)品部高級(jí)副總裁 Sesha Varadarajan 表示：

Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶實(shí)現(xiàn) 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。

泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬(wàn)片晶圓的生產(chǎn)，而我們的最新技術(shù)是 3D NAND 生產(chǎn)領(lǐng)域的一項(xiàng)突破。

它能以埃米級(jí)精度創(chuàng)建高深寬比（IT之家注：High Aspect Ratio）圖形特征，同時(shí)降低對(duì)環(huán)境的影響，蝕刻速度是傳統(tǒng)介電工藝的兩倍多。

Lam Cryo 3.0 是我們的客戶克服人工智能時(shí)代關(guān)鍵 NAND 制造障礙所需的蝕刻技術(shù)。

在現(xiàn)有 3D NAND 的生產(chǎn)中，需要用從器件頂部至底部的細(xì)長(zhǎng)垂直孔道將各層存儲(chǔ)單元連接起來(lái)。

而在孔道構(gòu)建過(guò)程中，即使圖形特征與目標(biāo)輪廓出現(xiàn)原子級(jí)的輕微誤差，也可能對(duì)存儲(chǔ)新品的電氣性能產(chǎn)生負(fù)面影響，并可能影響良率。

而 Lam Cryo 3.0 結(jié)合了高能密閉式等離子反應(yīng)器、遠(yuǎn)低于 0℃工作溫度以及新的化學(xué)蝕刻物質(zhì)，可蝕刻出深寬比達(dá) 50:1、深度達(dá) 10μm 的通道，同時(shí)從頂部到底部的特征關(guān)鍵尺寸偏差不到 0.1%。

此外相較傳統(tǒng)介電工藝，Lam Cryo 3.0 技術(shù)的蝕刻速度是前者的 2.5 倍，能耗降低了 40%，排放量更減少了 90%。