5月9日消息，今天，國家信息光電子創(chuàng)新中心宣布，和鵬城實驗室的光電融合聯(lián)合團隊完成了2Tb/s硅光互連芯粒（chiplet）的研制和功能驗證。
這也是在國內首次驗證了3D硅基光電芯粒架構，實現了單片最高達8×256Gb/s的單向互連帶寬。
發(fā)射芯粒
據介紹，團隊在2021年1.6T硅光互連芯片的基礎上，進一步突破了光電協(xié)同設計仿真方法，研制出硅光配套的單路超200G driver和TIA芯片。
同時還攻克了硅基光電三維堆疊封裝工藝技術，形成了一整套基于硅光芯片的3D芯粒集成方案。
接收芯粒
經系統(tǒng)傳輸測試，8個通道在下一代光模塊標準的224Gb/s PAM4光信號速率下，TDECQ均在2dB以內。
通過進一步鏈路均衡，最高可支持速率達8×256Gb/s，單片單向互連帶寬高達2Tb/s。
硅光互連芯粒的側向顯微鏡結構
目前在芯片技術的發(fā)展過程中，隨著芯片制程的逐步縮小，互連線引起的各種效應成為影響芯片性能的重要因素。
而硅光子技術可以將電換成傳輸速度更快的光，實現更快的傳輸速率、更遠的傳輸距離以及更低的功耗和延遲。
華為、臺積電、英特爾、IBM、Oracle等巨頭都在推進硅光的產業(yè)化，未來可能會成為一個像集成電路那樣大規(guī)模的產業(yè)。
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