4 月 30 日消息，三星電子在今日公布的一季度財報中分享了其半導體相關業(yè)務的技術信息和未來展望：
系統(tǒng) LSI
三星表示整體晶圓代工業(yè)務的復蘇相對延遲，但晶圓廠的運營效率有一定提升。
技術方面，三星稱其 3nm 和 2nm 節(jié)點技術發(fā)展順利，將在本季度完成 2nm 設計基礎設施的開發(fā)；而在 4nm 節(jié)點方面，良率漸趨穩(wěn)定。
三星正就適用于 3D IC 的 4nm 技術進行準本，同時計劃開發(fā)適用于 14nm、8nm 等成熟節(jié)點的基礎設施，滿足不同應用的需求。
三星確認其仍計劃在下半年實現(xiàn)第二代 3nm 技術的量產，并提升 2nm 技術的成熟程度。
存儲
三星表示其已于本月開始量產 HBM3E 8H（8 層堆疊）內存，并計劃于本季度內開始量產可提供 36GB 單堆棧容量的 HBM3E 12H 產品。三星將繼續(xù)增加 HBM 供應，滿足生成式 AI 市場的需求。
對于常規(guī) DDR5，三星基于 1bnm（12 納米級）制程的 32Gb DDR5 也將于本季度量產。三星計劃在該產品上實現(xiàn)更快的產能爬坡，以提升企業(yè)在高密度 DDR5 模組市場的競爭力。
三星 1bnm 32Gb DDR5 內存于去年 9 月發(fā)布，當時計劃于 2023 年底量產。
而在 NAND 閃存領域，三星進一步明確第 9 代 V-NAND 的 QLC 版本將于三季度量產。
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