4 月 15 日消息，美國政府今日宣布將向三星電子提供至多價值 64 億美元（當前約 464.64 億元人民幣）的補貼，而三星電子將在得克薩斯州投資超過 400 億美元，建設包括 2nm 晶圓廠在內的一系列半導體項目。

與臺積電一樣，三星電子此次同美國政府簽訂的是不具約束力的初步備忘錄。

三星電子將在得克薩斯州的兩個地點建立一個半導體生態集群，包括：

在泰勒市的兩座先進邏輯代工廠，分別為 4nm 和 2nm 制程；

在泰勒市的一座先進制程研發設施；

在泰勒市的一座先進封裝工廠，可進行 3D HBM 內存的生產和 2.5D 封裝；

在奧斯汀擴建現有半導體設施，擴大 FD-SOI（全耗盡型絕緣體上硅）工藝產能。

三星電子此次投資將在未來 5 年為美國創造超過 17000 個建筑行業工作崗位和 4500 多個高薪制造業工作崗位。

作為配套，美國政府還將通過《芯片法案》提供 4000 萬美元（當前約 2.9 億元人民幣）的當地勞動力培訓發展資金。

三星電子 DS 事業部總裁慶桂顯表示：" 我們不僅僅是在擴大生產設施：我們正在加強本地半導體生態系統，并將美國定位為全球半導體制造目的地。為了滿足美國客戶預期的需求激增，對于人工智能芯片等未來產品，我們的晶圓廠將配備尖端工藝技術，并幫助提高美國半導體供應鏈的安全性。"

本月早些時候，美國政府向臺積電承諾了至多 66 億美元直接補貼和約 50 億美元的貸款。美國政府官方新聞稿和韓美兩國媒體有關三星電子獲得補貼報道中暫未提到貸款事宜。