近日，ASML交付了第三代極紫外 (EUV) 光刻工具Twinscan NXE:3800E，其投影鏡頭的數值孔徑為 0.33。與現有的 Twinscan NXE:3600D 機器相比，該系統顯著提高了性能。它專為制造采用前沿技術的芯片而設計，包括未來幾年的 3nm、2nm 和小節點。
ASML Twinscan NXE:3800E代表了低數值孔徑 EUV光刻技術在性能（每小時處理的晶圓數量）和匹配的加工覆蓋方面的飛躍。新系統每小時可在 30 mJ/cm^2 劑量下處理超過 195 個晶圓，并有望通過吞吐量升級將性能進一步提高至 220 wph。此外，新工具還提供小于 1.1 nm 的匹配機器覆蓋（晶圓對準精度）。
ASML 在 X 上發布的一份聲明中透露：“芯片制造商需要速度。第一臺 Twinscan NXE:3800E 現已安裝在一家芯片工廠中。憑借其新的晶圓臺，該系統將為打印先進芯片技術提供領先的生產力。”我們正在將光刻技術推向新的極限。”
在為邏輯制造商生產采用4nm/5nm和 3nm 級工藝技術的芯片時，吞吐量的增加將提高 Twinscan NXE:3800E 機器的經濟效益。ASML Twinscan NXE:3800E 的性能改進預計將顯著緩解EUV 技術的主要缺點之一，即性能相對較低，從而實現更高效、更具成本效益的芯片生產。這將使依賴 EUV 的工藝技術更容易被預算不像蘋果、AMD、英特爾、英偉達和高通那樣龐大的芯片設計者所接受。此外，該工具對于美光、三星和 SK 海力士等內存制造商也至關重要。
此外，Twinscan NXE:3800E 的增強性能對于采用 2nm 以及需要 EUV 雙圖案化的后續制造技術制造芯片特別有用。匹配機器覆蓋層的改進將有利于 3nm 以下生產節點。
然而，像 NXE:3800E 這樣的機器的復雜性和功能的代價是高昂的成本，每臺的價格約為 1.8 億美元。如此高的成本意味著這些光刻工具的成本需要一段時間才能折舊。然而，對于 ASML 的客戶（包括一組精選的重要邏輯和內存制造公司）來說，NXE:3800E 提供了一條增強其尖端芯片生產能力的途徑。這對于這些公司來說至關重要，因為他們努力滿足全球對半導體不斷增長的需求，擴大生產能力并管理芯片制造的經濟性。引入 NXE:3800E 等更先進、更高效的 EUV 掃描儀對于實現這些目標至關重要。
展望未來，ASML并沒有滿足于現狀，計劃以Twinscan NXE:4000F 的形式進行進一步創新，這是另一代低數值孔徑 EUV 掃描儀，預計于 2026 年左右發布。這一持續開發強調了 ASML 致力于推進低數值孔徑的承諾-NA EUV 制造技術，盡管即將采用高數值孔徑光刻工具。
