根據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道，三星電子正計(jì)劃升級(jí)工藝，將非導(dǎo)電膠（NCF）更改為模塑底部填膠（MUF），從而實(shí)現(xiàn)更先進(jìn)的封裝工藝。

三星過(guò)去一直使用非導(dǎo)電膠來(lái)垂直連接半導(dǎo)體。NCF 可在半導(dǎo)體之間形成一層耐用薄膜，從而防止芯片輕易彎曲。NCF 曾被用作支持 TSV 的關(guān)鍵材料，但也因難以處理、生產(chǎn)效率較低而不被認(rèn)可。

報(bào)道稱(chēng)三星電子計(jì)劃在硅通孔（through-silicon electrode，TVS）加工過(guò)程中，引入使用 MUF 材料。

TVS 加工通俗來(lái)說(shuō)，就是在晶圓（Wafer）或者裸晶（Die）上穿出數(shù)千個(gè)小孔，實(shí)現(xiàn)硅片堆疊的垂直互連通道。而 MUF 就是上下連接，縮小半導(dǎo)體之間間隙的材料，有助于緊密凝固和結(jié)合各種垂直堆疊的半導(dǎo)體。

從報(bào)道中獲悉，三星電子已經(jīng)能夠從日本購(gòu)買(mǎi)了 MUF 相關(guān)的設(shè)備，通過(guò)這一新變化，三星似乎希望改進(jìn)工藝并提高生產(chǎn)率。

SK Hynix 在第二代 HBM 之前也一直使用 NCF，但從第三代（HBM2E）開(kāi)始直接改用 MUF，特別是采用 MR-MUF。

業(yè)界某相關(guān)人士表示："MR-MUF 方式與 NCF 相比，導(dǎo)熱率高出 2 倍左右，不僅對(duì)于工藝速度，還是良率等都有很大影響。"