日前，繼自研SLC NAND Flash系列產品規?；慨a后，江波龍首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash正式發布。
該產品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數據訪問帶寬可達400MB/s，將有望應用于eMMC、SSD等產品上。
江波龍表示，近年來在存儲芯片自主研發投入了大量的精力和資源，公司引進了一批具備超過20年存儲芯片設計經驗的高端人才。
據介紹，該團隊不僅精通閃存芯片設計技術，還對于流片工藝制程、產品生產過程有深入了解，對4xnm、2xnm、1xnm等Flash工藝節點的產品實現擁有豐富經驗。
在產品測試方面，江波龍自研NAND Flash產品通過內嵌片上DFT電路，配合自主開發的測試平臺，實現高效生產測試。
目前，江波龍已具備SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash產品的設計能力，并將通過完善的工程及品控能力逐步拓展更豐富的Flash產品系列。
值得一提的是，江波龍除了在NAND Flash芯片領域持續發力，還在DRAM芯片方面進行深入研究。
據江波龍介紹，2023年就已推出復合式存儲nMCP，將自研SLC NAND Flash和通過自研測試平臺驗證的LPDDR4x進行合并封裝，實現高頻低耗、寬溫運行的優異特性，可充分滿足5G網絡模塊存儲需求。
江波龍表示，未來將繼續大力投入存儲芯片的自主研發，深入挖掘NAND Flash、DRAM存儲芯片的應用潛力。
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