Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布領(lǐng)先業(yè)界推出基于 32Gb 單裸片的128GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存，具有高達 8,000 MT/s 速率的一流性能，可支持當前及未來的數(shù)據(jù)中心工作負載。該款大容量、高速率內(nèi)存模塊特別針對數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中廣泛的任務關(guān)鍵型應用，例如人工智能 (AI)、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫 (IMDB) 以及需要對多線程、多核通用計算工作負載進行高效處理的場景，滿足它們對于性能和數(shù)據(jù)處理的需求。美光基于 32Gb DDR5 DRAM 裸片的 128GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存采用行業(yè)領(lǐng)先的 1β (1-beta)制程技術(shù)，相較于采用 3DS 硅通孔 (TSV) 技術(shù)的競品，在以下方面得到顯著提升：

? 容量密度提升超過 45% 

? 能效提升高達 24%

? 延遲降低高達 16%

? AI 訓練性能提升高達 28%

美光副總裁兼計算產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理 Praveen Vaidyanathan 表示：“我們非常自豪美光 128GB DDR5 RDIMM 為數(shù)據(jù)中心大容量、高速內(nèi)存樹立了新標桿，為日益增長的計算密集型工作負載提供所需的內(nèi)存帶寬和容量。美光將加速提供先進技術(shù)，為設計和集成大容量內(nèi)存解決方案提供更及時的支持，從而促進數(shù)據(jù)中心生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展。”

美光的 32Gb DDR5 內(nèi)存解決方案采用創(chuàng)新的裸片架構(gòu)，實現(xiàn)了卓越的陣列效率和更大的單塊DRAM 裸片容量密度。電壓域和刷新管理功能有助于優(yōu)化電力傳輸網(wǎng)絡，實現(xiàn)了所需的能效提升。此外，裸片尺寸的縱橫比經(jīng)過優(yōu)化，有助于提高 32Gb 大容量 DRAM 裸片的制造效率。

通過采用 AI 驅(qū)動的智能制造技術(shù)，美光的 1β 技術(shù)節(jié)點以公司歷史上的最快速度實現(xiàn)了成熟的良率。美光 128GB RDIMM 將于 2024 年面向支持 4800 MT/s、5600 MT/s 和 6400 MT/s 速率的平臺出貨，未來還將支持高達 8,000 MT/s 速率的平臺。