前言：
IC封裝本身就是一個復(fù)雜的市場。據(jù)最新統(tǒng)計，半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)開發(fā)了大約一千種封裝類型。
目前，第一波芯片正在使用一種稱為混合鍵合的技術(shù)沖擊市場，為基于3D的芯片產(chǎn)品和先進封裝的新競爭時代奠定了基礎(chǔ)。
混合鍵合常出現(xiàn)在圖像傳感器設(shè)計中
銅混合鍵合最早出現(xiàn)在2016年，當時索尼將這項技術(shù)用于CMOS圖像傳感器， 索尼從現(xiàn)在屬于Xperi的Ziptronix獲得了該技術(shù)的許可。
多年來，CMOS 圖像傳感器供應(yīng)商一直在使用它。為了制造圖像傳感器，供應(yīng)商在工廠中處理兩個不同的晶圓：第一個晶圓由許多芯片組成，每個芯片由一個像素陣列組成；第二個晶圓由信號處理器芯片組成。
然后，使用混合鍵合，將晶圓與μm級的銅對銅互連鍵合在一起。晶圓上的die隨后被切割，形成圖像傳感器。
這個過程與封裝幾乎無異。但其實大多數(shù)芯片不需要混合鍵合，對于封裝而言，混合鍵合主要用于高端設(shè)計，因為它是一項涉及多項制造挑戰(zhàn)的昂貴技術(shù)。
在當今先進封裝案例中，供應(yīng)商可以在封裝中集成多裸片的DRAM堆棧，并使用現(xiàn)有的互連方案連接裸片。
通過混合鍵合，DRAM裸片可以使用銅互連的方法提供更高的帶寬，這種方法也可以用在內(nèi)存堆棧和其他高級組合的邏輯中。
為芯片制造商提供了一些新的選擇，為下一代3D設(shè)計、存儲立方體或3D DRAM以及更先進的封裝鋪平了道路。
混合鍵合幾乎消除了信號丟失
混合鍵合技術(shù)與傳統(tǒng)的凸點焊接技術(shù)不同，混合鍵合技術(shù)沒有突出的凸點，特別制造的電介質(zhì)表面非常光滑，實際上還會有一個略微的凹陷。
在室溫將兩個芯片附著在一起，再升高溫度并對它們進行退火，銅這時會膨脹，并牢固地鍵合在一起，從而形成電氣連接。
混合鍵合技術(shù)可以將互聯(lián)間距縮小到10 微米以下，可獲得更高的載流能力，更緊密的銅互聯(lián)密度，并獲得比底部填充膠更好的熱性能。
混合鍵合技術(shù)銅焊點的連接方式，讓這些銅焊點承載著功率、信號以及周圍的電介質(zhì)，提供比銅微凸點多1000倍的連接性能。
它可以將信號延遲降低到可忽略不計的水平，同時將凸點密度提高比2．5D積分方案還高三個數(shù)量級。
混合鍵合的關(guān)鍵工藝
在傳統(tǒng)的先進封裝中組裝復(fù)雜的芯片可以擴展節(jié)點，使用混合鍵合的先進封裝則是另一種選擇。
工藝步驟包括電鍍（電化學(xué)沉積、ECD）、CMP、等離子體活化、對準、鍵合、分離和退火。
雖然這些工具已經(jīng)成熟，例如，用于制造雙焊點銅互連和倒裝芯片鍵合，但這些工藝需要進一步完善以滿足混合鍵合的需求。
其中包括小于100nm對準精度，芯片到晶圓鍵合和分離工具的清潔度達到新水平，具有0．5nm RMS粗糙度的出色CMP平面度以及用于最佳鍵合的電鍍。
GlobalFoundry、英特爾、三星、臺積電和聯(lián)電都在致力于銅混合鍵合封裝技術(shù)，Imec和Leti也是如此。此外，Xperi正在開發(fā)一種混合鍵合技術(shù)，并將該技術(shù)許可給其他公司。
產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的重要性
許多合資企業(yè)正在通過簽訂許可協(xié)議、合作開發(fā)新工藝和新技術(shù)，來推進混合鍵合產(chǎn)業(yè)生態(tài)的構(gòu)建：
Adeia與美光、全視、天行者、SK海力士、索尼、UMC、YMTC等公司簽訂了許可協(xié)議；
應(yīng)用材料公司的介電位、蝕刻、CMP、等離子體活化與應(yīng)用材料公司新加坡先進技術(shù)開發(fā)中心的 Besi 芯片鍵合機相結(jié)合；
EVG的融合和混合鍵合以及集體組裝／計量與奧地利EVG異構(gòu)能力中心的ASM Pacific的0．2μm芯片鍵合機相結(jié)合；
英特爾和Leti開發(fā)了一種自組裝工藝，用于使用水蒸發(fā)進行芯片到晶圓的鍵合；
Suss Microtec將其表面處理覆蓋層測量工具與SET的芯片到晶圓鍵合機相結(jié)合；
TEL與IBM共同開發(fā)了300mm模塊，采用硅載體晶圓和激光釋放薄型產(chǎn)品晶圓。
結(jié)尾：混合鍵合代表一個轉(zhuǎn)折點
在最需要提高性能和功率的時候，混合鍵合為晶體管節(jié)點縮放提供了一種可行的替代方案。
在不同工藝間的競爭愈加激烈，混合鍵合很快將會應(yīng)用到3D DRAM、RF調(diào)制解調(diào)器和microLED的GaN／Si鍵合等領(lǐng)域。
可以毫不夸張地說，混合鍵合代表了整個行業(yè)的一個轉(zhuǎn)折點，因為它改變了芯片制造的方式。
部分內(nèi)容來源于：雪球：混合鍵合工藝進入發(fā)展快車道；半導(dǎo)體行業(yè)觀察：下一代 3D 芯片／封裝競賽開始；下一代3D封裝競賽開打；艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)：先進封裝之混合鍵合（Hybrid Bonding）的前世今生
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